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BSC022N03SG 发布时间 时间:2025/4/29 10:07:54 查看 阅读:2

BSC022N03SG 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沒尔场效应晶体管(NMOS)。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点。这种 NMOS 器件适用于多种电源管理应用,如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等场景。
  该器件的最大额定电压为 30V,适合低压系统设计。由于其出色的效率和紧凑的封装形式,BSC022N03SG 在消费电子、工业设备和通信设备领域中得到广泛应用。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻(典型值):2.2mΩ
  栅极电荷(典型值):8nC
  开关时间:t_on=9ns, t_off=16ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-Leadless(TOLL)

特性

BSC022N03SG 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),确保在大电流应用中的高效能量转换和最小化功耗。
  2. 高速开关性能得益于较低的栅极电荷 (Qg),这使得该器件非常适合高频开关应用。
  3. 紧凑的无引脚封装 (TOLL) 提供了良好的热性能和电气连接,同时节省了 PCB 空间。
  4. 工作温度范围宽广 (-55°C 至 +175°C),能够适应各种恶劣环境下的应用需求。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

BSC022N03SG 的典型应用包括:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流和主开关。
  2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
  3. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
  4. 电机驱动和逆变器中的功率级开关。
  5. 各种工业和消费类设备中的高效功率转换模块。

替代型号

BSC022N03LS G, IPS022N03L, FDP022AN

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BSC022N03SG参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)28A(Ta),100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.2 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 110μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)64 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)8290 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.8W(Ta),104W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TDSON-8-1
  • 封装/外壳8-PowerTDFN