类型：射频功率MOSFET
　　工艺技术：LDMOS
　　工作频率范围：2GHz至2.2GHz
　　最大输出功率：800W
　　漏极电压(Vds)：65V
　　栅极电压(Vgs)：-10V至+30V
　　工作温度范围：-65°C至+150°C
　　封装类型：塑料封装
　　增益：24dB
　　效率：约40%
　　输入驻波比(VSWR)：2:1

RF8081-TR13-5K的主要特性包括高效能的LDMOS技术，使其在高功率应用中保持低热损耗和较高的可靠性。该器件的工作频率范围在2GHz至2.2GHz之间，适用于多种现代无线通信标准，如W-CDMA、LTE等。其高输出功率能力(800W)确保了在大型基站和广播系统中提供足够的信号覆盖。此外，RF8081-TR13-5K具备良好的热管理性能，能够有效减少因高温带来的性能下降和器件失效问题。其增益特性(24dB)和效率(约40%)的结合，使得系统设计者能够在保持高功率输出的同时实现良好的能量利用率。该器件还具有较强的抗过载能力和较高的可靠性，适合长时间连续运行的工业级应用。
　　RF8081-TR13-5K采用塑料封装形式，提供良好的成本效益和易于集成的特性，适用于高密度电路板布局。其输入驻波比(VSWR)为2:1，表明在正常工作状态下具有较好的匹配性能，从而减少反射功率对系统的干扰。同时，该器件的栅极电压范围较宽(-10V至+30V)，为系统设计提供了更大的灵活性，支持不同的偏置配置和线性度优化方案。

RF8081-TR13-5K主要应用于蜂窝通信基站，如4G LTE和5G前向兼容系统的高功率放大器模块。此外，该器件也广泛用于无线基础设施中的射频放大器、广播系统(如数字音频广播DAB和数字视频广播DVB)、雷达和测试设备等领域。其高功率处理能力和高效能特性使其成为需要高性能射频放大的工业和商业设备的理想选择。

RF8081-TR13, RF8081-TR13-2K