时间：2025/7/23 16:02:04
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STW34NB20 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用而设计，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化设备等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：200V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：34A
导通电阻(RDS(on))：最大55mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-247
STW34NB20 MOSFET采用了先进的PowerMESH技术，提供了优异的热稳定性和高效率的功率转换能力。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率，同时减少散热需求，使得设计更加紧凑。
该器件具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在极端工作条件下保持可靠运行。此外，STW34NB20的栅极驱动设计优化，可降低开关损耗，并提高抗干扰能力。
由于其优异的电气性能和稳定的封装结构，STW34NB20广泛用于高功率密度设计中，如服务器电源、电信设备电源、太阳能逆变器和电动工具控制电路。
STW34NB20适用于多种高功率应用领域，包括但不限于：
1. 高效DC-DC转换器
2. 电源管理系统
3. 工业电机控制和驱动电路
4. 太阳能逆变器
5. 服务器和电信电源设备
6. 电池充电和管理系统
7. 高压负载开关电路
IPW65R045CFD7, FDPF3420, FQA34N20
