时间：2025/5/20 14:12:54
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BSC019N08NS5 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沣道场效应晶体管（MOSFET）。该器件属于 OptiMOS 系列，采用 SuperSO8 封装形式。这款 MOSFET 主要用于需要高效率和低功耗的应用场景，例如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等。其超低的导通电阻特性有助于减少功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：36A
导通电阻（典型值）：1.9mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：2740pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：SuperSO8
BSC019N08NS5 的主要特点是其具有非常低的导通电阻，这使得它在高电流应用中表现出色。此外，该器件还具有快速开关速度，能够有效降低开关损耗。Infineon 的 OptiMOS 技术确保了该器件具备出色的热性能和可靠性。
1. 超低导通电阻（RDS(on)），在 10V 栅极驱动下仅为 1.9mΩ，从而减少了传导损耗。
2. 快速开关特性，栅极电荷较低，有助于提高开关频率并降低开关损耗。
3. 高度耐用的设计使其能够在极端条件下运行，工作温度范围可达 -55℃ 至 175℃。
4. SuperSO8 封装提供了良好的散热性能，并且易于集成到各种电路设计中。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
BSC019N08NS5 广泛应用于需要高效功率转换和低功耗的领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动电路。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. 新能源汽车中的电池管理系统（BMS）及辅助逆变器模块。
6. 数据中心服务器电源和其他高性能计算设备中的功率管理单元。
BSC019N08NSG, IRF840, FQP17N06
