BS3406DJ 是一款由 Bright Semiconductor(士兰微)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,适用于高效率电源管理系统,如同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等应用。该器件采用高性能沟槽式工艺,具有较低的导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,有助于提高系统效率并减少功率损耗。BS3406DJ 采用 SOT-23 封装,体积小巧,适合高密度 PCB 设计。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):5.8A(在 Vgs=10V)
导通电阻(Rds(on)):15mΩ(典型值,在 Vgs=10V)
阈值电压(Vgs(th)):1.0V ~ 2.5V
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:SOT-23
BS3406DJ 采用先进的沟槽式 MOSFET 工艺技术,具有非常低的导通电阻(Rds(on)),典型值仅为 15mΩ,从而显著降低了导通损耗。该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持在 4.5V 至 20V 的范围内工作,使其适用于多种电源管理应用,包括低压同步整流和高效率 DC-DC 转换器。
此外,BS3406DJ 的最大漏极电流可达 5.8A,在高负载条件下仍能保持良好的性能表现。其低阈值电压(1.0V ~ 2.5V)使得该器件可与多种控制器和驱动器兼容,包括低电压逻辑电路。器件具备良好的热稳定性和抗过载能力,可在高温环境下稳定运行。
封装方面,BS3406DJ 采用 SOT-23 小型封装,适用于空间受限的 PCB 设计,并具有良好的焊接可靠性和散热能力。该器件符合 RoHS 环保标准,适合绿色电子产品设计使用。
BS3406DJ 广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中。常见应用包括同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电源管理模块、便携式电子设备电源控制以及电机驱动电路。
由于其低导通电阻和高电流能力,BS3406DJ 非常适合用于需要高效率和低功耗的设计,例如 USB PD 电源适配器、移动电源、无线充电器、LED 驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。
此外,该器件还可用于电池供电设备中的负载开关控制,以实现高效的电源管理和节能功能。在电机控制应用中,BS3406DJ 可用于 H 桥结构中的高边或低边开关,提供快速响应和稳定的运行性能。
Si2302DS, AO3400A, IRLL2703, FDMS3610