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GA0805A560FBABT31G 发布时间 时间:2025/6/9 16:59:50 查看 阅读:16

GA0805A560FBABT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为需要高效率和低导通电阻的应用设计。该芯片采用先进的制造工艺,具有出色的开关特性和热性能,广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
  这款MOSFET属于N沟道增强型器件,适用于高频开关应用以及负载切换场景,能够显著提高系统效率并降低功耗。

参数

型号:GA0805A560FBABT31G
  类型:N沟道功率MOSFET
  VDS(漏源极电压):60V
  RDS(on)(导通电阻,典型值):4.5mΩ
  ID(持续漏电流):80A
  Qg(栅极电荷):47nC
  EAS(雪崩能量):12J
  封装形式:TO-247-3L
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA0805A560FBABT31G 的主要特点是其超低的导通电阻,仅为4.5mΩ(在特定条件下),这使得它非常适合大电流应用,并能有效减少传导损耗。
  此外,该芯片具备较低的栅极电荷(47nC),从而优化了开关速度和效率。
  其高达80A的漏电流能力和60V的额定电压,使其能够在多种复杂电路环境中稳定运行。
  同时,该器件支持宽泛的工作温度范围(-55℃至+175℃),进一步增强了其可靠性和适应性。
  通过优化的热设计,该MOSFET能够快速散发热量,确保长期使用中的稳定性。

应用

GA0805A560FBABT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机驱动控制
  3. DC-DC转换器
  4. UPS不间断电源
  5. 太阳能逆变器
  6. 工业自动化设备中的功率管理模块
  7. 高效负载切换电路
  由于其低导通电阻和高电流能力,该芯片尤其适合要求高效率和高可靠性的工业及消费类电子应用。

替代型号

GA0805A560FBABT30G
  IRFZ44N
  FDP067N06L
  STP80NF06L

GA0805A560FBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容56 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-