时间：2025/8/5 21:09:55
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IXYH120N65B3 是英飞凌（Infineon）生产的一款高性能N沟道功率MOSFET，广泛应用于高功率开关和电源管理领域。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和优异的热性能，适用于如电源转换器、DC-DC转换器、电机控制和逆变器等高功率密度设计。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：650V
漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：最大值为17mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电压（Vgs）：±30V
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-247
功率耗散（Ptot）：263W
技术：CoolMOS?
IXYH120N65B3 MOSFET采用英飞凌的CoolMOS?技术，提供卓越的开关性能和导通损耗，从而实现更高的能效和更小的热设计余量。该器件具有优化的栅极电荷（Qg），从而减少开关损耗并提高高频操作的效率。此外，它还具备良好的热稳定性和短路耐受能力，确保在高应力条件下仍能稳定运行。该MOSFET的高雪崩能量等级使其在突发负载条件下具备更强的可靠性，同时，其低Qrr（反向恢复电荷）特性有助于减少同步整流应用中的损耗。
该器件适用于各种高功率应用，包括开关电源（SMPS）、工业电机驱动、逆变器、UPS系统、太阳能逆变器、电动车充电系统以及电机控制电路。
IXFH120N65X2、IXYS IXGN120N65C2、STMicroelectronics STW120N65M5、ON Semiconductor NTP120N65S3G
