时间：2025/5/8 15:19:56
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ASAA821-EARB0-7H 是一款高性能的功率MOSFET器件，采用先进的半导体制造工艺设计，主要用于高效率开关应用。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高频条件下提供卓越的性能表现。
其封装形式为TO-263（DPAK），能够有效提升散热性能，适用于电源管理、电机驱动以及各种工业控制场合。
最大漏源电压：55V
最大连续漏极电流：24A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷（典型值）：35nC
反向恢复时间：10ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频开关应用环境。
3. 具备优异的热稳定性和耐用性，可承受极端工作条件。
4. 高电流承载能力，确保在大功率场景下的可靠性。
5. 小型化封装设计，便于PCB布局与安装。
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 工业电机驱动
4. 太阳能逆变器
5. 电动工具及家电中的功率控制模块
ASAA821-EARB0-5H
IRFZ44N
FDP5530
AON7917
