BS2S7VZ7306 时间：2025/8/27 16:41:24 阅读：6

BS2S7VZ7306 是一款由 ROHM（罗姆）公司制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于高功率应用，例如电源管理、电机驱动和负载开关等场景。由于其优异的导通特性和较高的耐压能力，BS2S7VZ7306 常用于需要高效率和稳定性的电子系统中。该器件采用表面贴装封装（SOP），适合自动化生产，并具有良好的散热性能。

参数

晶体管类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 0.035Ω（在 Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：3.3W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOP（表面贴装）

特性

BS2S7VZ7306 的最大漏源电压为 30V，适用于中等功率应用，如 DC-DC 转换器、马达驱动器和电池管理系统。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率，同时降低了热量生成，有助于系统稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从 4.5V 到 10V 的驱动电压，适用于多种控制电路设计。此外，BS2S7VZ7306 具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持性能。其封装设计支持表面贴装工艺，提高了 PCB 布局的灵活性，并且具备较好的散热能力。BS2S7VZ7306 还具备较高的耐用性和可靠性，在各种工作环境下均能保持稳定性能。

应用

BS2S7VZ7306 适用于多种高功率电子系统，例如笔记本电脑、服务器、工业自动化设备、消费电子产品和电动工具等。在电源管理方面，它可用于 DC-DC 转换器和负载开关，以提高能效并减少热量产生。在电机驱动电路中，该 MOSFET 可用于控制马达的启停和速度调节。此外，它还适用于电池管理系统（BMS），用于保护电池组免受过流和过压的影响。由于其高可靠性和良好的导通性能，BS2S7VZ7306 也被广泛用于汽车电子系统，如车载充电器、车灯控制模块等。