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STGF10NC60KD 发布时间 时间:2023/6/12 10:50:37 查看 阅读:740

产品种类: IGBT 晶体管

目录

概述

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 晶体管

封装 / 箱体:TO-220FP

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极击穿电压:600 V

集电极—射极饱和电压:2 V

栅极/发射极最大电压:20 V

集电极最大连续电流 Ic:9 A

栅极—射极漏泄电流:100 nA

功率耗散:25 W

封装:Tube

配置:Single

资料

厂商
STMICROELECTRONICS

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STGF10NC60KD产品

STGF10NC60KD参数

  • 其它有关文件STGF10NC60KD View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列PowerMESH™
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.5V @ 15V,5A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)9A
  • 功率 - 最大25W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220FP
  • 包装管件
  • 其它名称497-5114-5