BS17C9GWA 是一款由 Rohm(罗姆)半导体公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及各种需要高效能功率开关的场景。这款 MOSFET 封装为 TSMT6(双列直插式),具备低导通电阻、高耐压和高电流能力等特点。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):20V
栅源电压(Vgs):±12V
连续漏极电流(Id):5A
导通电阻(Rds(on)):38mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散(Pd):2.5W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:TSMT6
BS17C9GWA MOSFET 具备出色的导通性能和低导通电阻,这使得其在高电流应用中具有较低的功率损耗。该器件的栅极驱动电压范围较宽,可在 1.8V 至 12V 之间正常工作,适合多种控制电路设计。此外,其采用 TSMT6 封装,具备良好的热管理和小型化优势,适用于便携式设备和高密度电路设计。
该器件的封装设计使其具有较强的散热能力,能够在较高的环境温度下稳定运行。同时,BS17C9GWA 还具备较高的抗静电能力和过热保护特性,有助于提高系统可靠性。
在动态性能方面,BS17C9GWA 提供了快速的开关响应时间,降低了开关损耗,并适用于高频开关应用。其输入电容(Ciss)约为 300pF,输出电容(Coss)约为 100pF,反向传输电容(Crss)约为 20pF,这些参数保证了其在高速开关环境中的稳定性和效率。
BS17C9GWA 常用于各种电源管理电路中,如同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统(BMS)、负载开关、电机驱动器以及各种便携式电子设备中的功率控制模块。由于其低导通电阻和良好的热性能,该器件特别适合用于需要高效率和紧凑设计的电源系统。此外,它也可用于汽车电子系统、工业自动化控制电路以及LED照明驱动电路中。
Si2302DS, AO3400A, IRLL2703, FDS6675