时间：2025/9/5 23:06:45
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BS17C9GWA 是一款由 Rohm（罗姆）半导体公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及各种需要高效能功率开关的场景。这款 MOSFET 封装为 TSMT6（双列直插式），具备低导通电阻、高耐压和高电流能力等特点。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：5A
导通电阻（Rds(on)）：38mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TSMT6
BS17C9GWA MOSFET 具备出色的导通性能和低导通电阻，这使得其在高电流应用中具有较低的功率损耗。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在 1.8V 至 12V 之间正常工作，适合多种控制电路设计。此外，其采用 TSMT6 封装，具备良好的热管理和小型化优势，适用于便携式设备和高密度电路设计。
该器件的封装设计使其具有较强的散热能力，能够在较高的环境温度下稳定运行。同时，BS17C9GWA 还具备较高的抗静电能力和过热保护特性，有助于提高系统可靠性。
在动态性能方面，BS17C9GWA 提供了快速的开关响应时间，降低了开关损耗，并适用于高频开关应用。其输入电容（Ciss）约为 300pF，输出电容（Coss）约为 100pF，反向传输电容（Crss）约为 20pF，这些参数保证了其在高速开关环境中的稳定性和效率。
BS17C9GWA 常用于各种电源管理电路中，如同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动器以及各种便携式电子设备中的功率控制模块。由于其低导通电阻和良好的热性能，该器件特别适合用于需要高效率和紧凑设计的电源系统。此外，它也可用于汽车电子系统、工业自动化控制电路以及LED照明驱动电路中。
Si2302DS, AO3400A, IRLL2703, FDS6675
