BS0604NS2 时间：2025/6/6 12:32:32 阅读：6

BS0604NS2是一种N沟道增强型功率MOSFET，采用小型SOT-23封装形式。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）特性，适用于需要高效能和小尺寸的应用场景。其工作电压范围较广，适合在中低压环境下使用，同时具备快速开关速度和低栅极电荷的特点，能够有效减少开关损耗。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：4A
　　导通电阻：105mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　栅极电荷：8nC（典型值）
　　输入电容：300pF（典型值）
　　总功耗：400mW（在Tc=25℃时）
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

BS0604NS2是一款高性能的功率MOSFET，主要特点如下：
　　1. 超低导通电阻设计，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
　　2. 小巧的SOT-23封装使其非常适合空间受限的应用环境。
　　3. 快速开关性能，可满足高频开关应用的需求。
　　4. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
　　5. 符合RoHS标准，环保且无铅。
　　6. 热稳定性良好，能够在较宽的温度范围内正常工作。

应用

BS0604NS2广泛应用于各种电子电路中，常见的应用领域包括：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）。
　　3. 电池保护电路。
　　4. 消费类电子产品中的负载开关。
　　5. 电机驱动和控制。
　　6. 便携式设备的电源管理模块。
　　7. 各种保护电路，如过流保护和短路保护。