时间：2025/6/13 8:47:39
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UT3N01ZL-AE2-R是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种功率转换和开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，非常适合用于电源管理、电机驱动以及DC-DC转换器等场景。
这款MOSFET属于N沟道增强型，其封装形式为SOT-23，能够有效节省PCB空间并简化设计。由于其优异的电气特性和紧凑的尺寸，UT3N01ZL-AE2-R在消费电子、工业设备及汽车电子领域中被广泛采用。
型号：UT3N01ZL-AE2-R
类型：N沟道MOSFET
Vds（漏源极电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：1.5Ω
Id（持续漏极电流）：1A
Vgs(th)（栅极阈值电压）：1.6V至3.0V
封装形式：SOT-23
工作温度范围：-55℃至+150℃
总功耗：450mW
1. 超低导通电阻，有助于降低功率损耗，提高效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用场合。
3. 小巧的SOT-23封装，便于小型化设计。
4. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性。
5. 栅极电荷较低，易于驱动且可减少开关损耗。
6. 符合RoHS标准，绿色环保，满足现代电子产品的要求。
1. 手机充电器和适配器中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器中的开关元件。
3. 消费类电子产品的负载开关。
4. LED驱动电路中的开关控制。
5. 小型电机驱动和控制电路。
6. 各种电池保护电路中的功率开关元件。
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