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DSA10C150PB 发布时间 时间:2025/8/6 5:48:54 查看 阅读:10

DSA10C150PB 是一款由 STMicroelectronics 生产的双通道高速功率 MOSFET 驱动器芯片,专为驱动高功率的功率MOSFET或IGBT设计。该芯片采用高电压工艺制造,能够提供高驱动能力和快速的开关速度,适用于需要高效能功率转换的应用,例如电源供应器、DC-DC转换器以及电机控制电路等。其封装形式为14引脚的PowerSO封装,具有良好的热管理和电气性能。

参数

类型:MOSFET驱动器
  通道数:2通道
  电源电压:最高20V
  输入信号:TTL/CMOS兼容
  输出电流:峰值输出电流高达±1.4A
  传播延迟:典型值为18ns
  上升时间/下降时间:典型值分别为10ns和8ns
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  封装类型:PowerSO-14

特性

DSA10C150PB 具有多个关键特性,确保其在高性能功率电子系统中可靠运行。首先,其双通道设计使得它可以同时驱动两个独立的功率器件,非常适合需要多路驱动的电路应用。其次,该芯片内置了高端和低端驱动电路,能够提供高达±1.4A的峰值输出电流,满足大功率MOSFET或IGBT的快速开关需求。此外,DSA10C150PB 具有非常低的传播延迟(典型值为18ns)以及快速的上升和下降时间(分别为10ns和8ns),这有助于提高系统的整体效率并减少开关损耗。该器件还具有过热保护和欠压锁定保护功能,增强了系统的可靠性和稳定性。其工作温度范围宽达-40°C至+150°C,适用于各种严苛环境条件下的应用。最后,该芯片采用PowerSO-14封装,具备良好的热管理能力,确保在高功率操作下依然保持稳定性能。
  在电气特性方面,DSA10C150PB 的输入信号兼容TTL和CMOS电平,使其可以与各种类型的控制器或微处理器无缝连接。其电源电压最大支持20V,适用于多种电源架构。此外,内部的死区时间控制机制可以防止高端和低端功率器件同时导通,从而避免直通电流,提高系统的安全性。

应用

DSA10C150PB 主要应用于需要高效功率转换的电子系统中。例如,在开关电源(SMPS)中,它可用于驱动同步整流器的MOSFET,提高转换效率;在DC-DC转换器中,作为高频率功率开关的驱动器,提升响应速度和能量利用率;在电机控制电路中,它能够驱动H桥结构中的功率MOSFET,实现精确的电机控制;此外,DSA10C150PB 也广泛用于逆变器、UPS系统、LED照明驱动器以及工业自动化设备中。由于其快速的开关特性和高驱动能力,该芯片特别适合高频操作和高功率密度的设计需求。在这些应用中,DSA10C150PB 能够有效减少开关损耗,提高系统效率,并确保长时间运行的稳定性和可靠性。

替代型号

IRS2104S, TC4427A, LM5106

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DSA10C150PB参数

  • 现有数量0现货
  • 价格Digi-Key 停止提供
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态Digi-Key 停止提供
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)150 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)5A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)860 mV @ 5 A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏200 μA @ 150 V
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 175°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商器件封装TO-220-3