晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：80V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级划分）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-92
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　集电极-基极电压（VCBO）：100V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V

BD550T作为一款通用NPN晶体管，具有多项优异的电气和物理特性。首先，其最大集电极-发射极电压（VCEO）为80V，使其能够承受较高的电压应力，适用于多种中压电路设计。此外，最大集电极电流为100mA，适合用于中等功率的放大或开关应用。
　　该晶体管的电流增益（hFE）范围为110至800，具体数值取决于不同的等级（如BD550T-O、BD550T-Y、BD550T-U等），这使得设计人员可以根据具体电路需求选择合适的型号。较高的hFE值意味着晶体管在放大信号时具有更高的效率，有助于提高整体电路的性能。
　　BD550T采用TO-92封装，具有良好的散热性能，同时体积小巧，便于安装在紧凑的电路板上。其最大功耗为300mW，确保在正常工作条件下不会因过热而失效。此外，过渡频率（fT）为100MHz，表明该晶体管可以在较高的频率下保持良好的放大性能，适用于射频（RF）和高频应用。
　　在工作温度方面，BD550T支持从-55°C至+150°C的宽温度范围，适应各种恶劣的工作环境，无论是工业控制设备还是消费类电子产品，都能稳定运行。

BD550T广泛应用于多个电子领域，主要作为开关和放大元件使用。例如，在音频放大电路中，BD550T可以作为前置放大器使用，将微弱的信号增强到足以驱动后续电路的水平。由于其较高的过渡频率，BD550T也适用于高频信号放大，如在无线通信设备中的前置放大器部分。
　　在数字电路中，BD550T常用于晶体管-晶体管逻辑（TTL）电路或作为MOSFET的驱动器，起到开关作用。例如，在LED驱动电路中，BD550T可以作为低边开关，控制LED的通断状态。此外，在继电器驱动电路中，BD550T可以用来控制继电器线圈的电流，从而实现对高功率负载的控制。
　　BD550T还常见于各种传感器接口电路中，例如光电传感器或温度传感器的信号调理电路，用来放大传感器输出的模拟信号。由于其宽工作温度范围，BD550T特别适用于工业自动化设备和户外电子装置，确保在极端温度条件下依然稳定工作。

BC547, 2N3904, BC550, BD135, 2N2222