时间:2025/11/8 2:33:37
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BU4827FVE-TR是一款由罗姆(ROHM)半导体公司生产的低电压、低功耗的CMOS比较器集成电路,专为便携式电子设备和对功耗敏感的应用场景设计。该器件集成了两个独立的电压比较器,能够在宽电源电压范围内稳定工作,适用于电池供电系统、传感器信号调理、过压/欠压检测等多种应用场合。BU4827FVE-TR采用微型SMT封装(如SSOP-B8或VES-M8),便于在高密度PCB布局中使用,同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力。该芯片内部集成精密基准电压源和迟滞电路,提升了响应精度与噪声抑制性能,特别适合处理微弱信号或存在噪声干扰的输入信号。其推挽输出结构无需外部上拉电阻即可直接驱动数字逻辑电路(如CMOS或TTL),简化了外围电路设计并节省布板空间。此外,该器件工作温度范围通常覆盖工业级标准(-40°C至+85°C),可在复杂环境条件下可靠运行。由于其高集成度、低静态电流和快速响应特性,BU4827FVE-TR广泛应用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端、医疗监测设备以及各类智能传感器模块中。
型号:BU4827FVE-TR
类型:双通道电压比较器
电源电压范围:1.6V ~ 5.5V
静态电流:典型值0.8μA(每通道)
输入偏置电流:典型值0.1pA
传播延迟时间:典型值2.5μs(负载=5kΩ//50pF)
输出形式:推挽输出
输出电压范围:接近轨到轨(Rail-to-Rail)
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
封装形式:VES-M8(超小型表面贴装)
通道数:2
内置基准电压源:1.2V ±2%
增益带宽积:约100kHz
共模输入电压范围:0V 至 VCC
上升时间 / 下降时间:典型值均为1.8μs
BU4827FVE-TR的核心特性之一是其极低的静态功耗,典型值仅为0.8μA,在深度节能模式下仍能保持基本的比较功能,这使其成为电池供电设备的理想选择。这种超低功耗特性显著延长了系统的续航时间,尤其适用于长期待机的无线传感器节点、健康监测贴片或远程数据采集装置。
其次,该芯片内置了一个精度高达±2%的1.2V参考电压源,省去了外接基准元件的需求,不仅降低了物料成本,还提高了整体系统的可靠性与稳定性。该基准可用于设置比较阈值,实现精确的电压监控功能,例如用于锂电池的过放电保护或电源管理系统中的电压分级控制。
另一个重要特点是其宽输入共模电压范围,支持从地电平(0V)到电源正极(VCC)的全范围输入信号检测,确保即使在低电压供电条件下也能准确捕捉输入变化。结合其轨到轨输出能力,能够兼容多种逻辑电平接口,方便与MCU、ADC或其他数字电路无缝对接。
此外,BU4827FVE-TR采用CMOS工艺制造,具有极高的输入阻抗和极低的输入偏置电流(典型值0.1pA),因此对高阻抗信号源(如某些类型的传感器)影响极小,适合用于光电二极管、热敏电阻、压力传感器等微弱信号的调理电路中。
器件还具备良好的抗电磁干扰(EMI)能力和温度稳定性,能够在复杂电磁环境中稳定工作,并保持一致的电气性能。其封装采用VES-M8小型化设计,体积紧凑,适用于空间受限的便携式电子产品。综合来看,BU4827FVE-TR凭借其低功耗、高精度、高集成度和易用性,在现代低功耗模拟信号处理领域占据重要地位。
BU4827FVE-TR广泛应用于需要低功耗、小尺寸和高精度电压比较功能的各种电子系统中。典型应用场景包括便携式电子设备中的电池电量检测与管理,例如通过将内置1.2V基准与分压后的电池电压进行比较,判断是否进入低电量警告状态或触发关机保护机制。在物联网(IoT)终端设备中,它常被用于传感器信号的数字化转换前级处理,如将温度、湿度、光照强度等模拟信号与设定阈值比较,生成高低电平信号供微控制器读取,从而实现简单的事件触发或状态切换功能。
在工业自动化与消费类电子产品中,该芯片可用于构建窗口比较器电路,监测关键电压是否处于正常区间,一旦超出上限或低于下限即发出报警信号,适用于电源监控、电机控制保护、充电器过压保护等安全相关电路。
此外,由于其高输入阻抗和低噪声特性,BU4827FVE-TR也适合用于生物电信号采集前端,如心率监测仪、脉搏血氧计等医疗健康设备中,用于放大后信号的过零检测或峰值识别。
在智能家居系统中,它可以作为光控开关的核心元件,根据环境光强度自动开启或关闭照明设备;也可用于液位检测、接近感应等非接触式感知系统中,配合传感器完成状态判别。
总之,该器件因其高度集成化和优异的电气性能,已成为现代低功耗模拟接口电路中不可或缺的关键组件之一。
LMV332MFX/NOPB
TSV922IYX
NCS2201T1G