时间：2025/8/7 9:13:59
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BRD1261C-TL 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用小型 TSMT4 封装，适用于需要紧凑设计的电路应用。BRD1261C-TL 以其低导通电阻、高电流容量和快速开关特性而受到市场欢迎，常见于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池供电设备等应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：6A
导通电阻（Rds(on)）：32mΩ（典型值）
功率耗散（Pd）：2W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSMT4
BRD1261C-TL MOSFET 具有多个显著的电气和热性能优势。
首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为 32mΩ，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。这对于高电流应用尤为重要，因为它能够降低发热并提升整体性能。
其次，该器件支持高达 6A 的连续漏极电流，使其适用于中高功率负载。其 20V 的漏源击穿电压也使其能够稳定运行在多种电源管理环境中。
此外，BRD1261C-TL 采用 TSMT4 小型封装，具有良好的热管理和空间利用率，适合在空间受限的设计中使用。该封装还支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
该 MOSFET 还具有良好的抗雪崩能力和高可靠性，在极端工作条件下仍能保持稳定性能。其工作温度范围宽达 -55°C 至 150°C，适用于工业级和消费级电子设备。
综合来看，这些特性使 BRD1261C-TL 成为高效率、紧凑型电源系统设计的理想选择。
BRD1261C-TL MOSFET 广泛应用于多种电子设备和系统中。其主要用途包括 DC-DC 转换器和稳压器，用于提高电源转换效率并减小电路尺寸。
在电池供电设备中，如笔记本电脑、平板电脑和便携式医疗设备，该器件用于高效能电源管理单元，延长电池续航时间。
它还常用于电机驱动电路和负载开关，提供快速响应和稳定控制。
此外，BRD1261C-TL 也适用于工业自动化设备、LED 照明控制系统和消费类电子产品中的功率开关应用。
由于其高可靠性和宽工作温度范围，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统和车身控制模块。
Si2302DS-T1-GE3, FDS6675, IRF7404, FDMS86101
