时间：2025/12/25 13:26:18
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BR35HB32FVT-WCTE2是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode, SBD）。该器件采用先进的平面型结构和高可靠性工艺制造，专为在便携式电子设备、电源管理电路以及高频开关应用中提供高效、低功耗的整流功能而设计。其主要特点包括低正向电压降（VF）、快速反向恢复时间（trr）以及高浪涌电流承受能力，使其非常适合用于DC-DC转换器、逆变器、续流二极管和防反接保护等场景。该型号封装为小型表面贴装型SOD-123F，具有良好的散热性能和空间利用率，适用于高密度PCB布局。此外，产品符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101车规级认证，表明其具备在汽车电子系统中稳定工作的能力。
BR35HB32FVT-WCTE2中的命名规则通常代表：B表示肖特基二极管，R35可能指特定系列或额定电流值，H可能代表电压等级，B32可能是产品识别码，FVT表示SOD-123F封装形式，WCTE2则为包装规格（如卷带包装），具体以官方数据手册为准。该器件的工作结温范围一般为-55°C至+150°C，确保在极端环境条件下仍能保持可靠运行。由于其优异的热稳定性和电气特性，BR35HB32FVT-WCTE2广泛应用于智能手机、平板电脑、LED驱动电源、电池充电管理系统及车载信息娱乐系统等领域。
类型：肖特基势垒二极管
极性：单二极管
最大重复反向电压（VRRM）：30V
最大正向平均整流电流（IO）：200mA
峰值浪涌正向电流（IFSM）：1A
最大正向电压降（VF）：0.48V @ 200mA, 25°C
最大反向漏电流（IR）：100nA @ 30V, 25°C
反向恢复时间（trr）：典型值5ns
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
封装/外壳：SOD-123F
安装类型：表面贴装（SMD）
高度：约1.1mm
包装形式：卷带（Taping）
湿敏等级（MSL）：1级（可回流焊）
符合标准：RoHS、AEC-Q101
BR35HB32FVT-WCTE2的核心优势在于其低正向导通压降与快速开关响应能力，这直接提升了电源系统的转换效率并减少了能量损耗。在低电流负载下（如200mA），其典型VF仅为0.48V，相比传统硅PN结二极管（通常VF约为0.7V）显著降低了导通损耗，尤其适合对功耗敏感的应用，例如移动设备中的DC-DC升压或降压电路。同时，极短的反向恢复时间（trr ≈ 5ns）意味着在高频开关过程中，存储电荷极少，能够有效抑制反向恢复引起的尖峰电流和电磁干扰（EMI），从而提高整个系统的稳定性与可靠性。
该器件采用了ROHM成熟的平面工艺技术，在保证高性能的同时实现了出色的热管理和长期工作稳定性。SOD-123F小尺寸封装不仅节省PCB空间，还优化了热传导路径，有助于将结温控制在安全范围内。即使在高温环境下（如接近+125°C时），其反向漏电流依然保持较低水平（典型值小于1μA），避免因漏电增加而导致系统功耗上升或误动作。此外，高达1A的非重复浪涌电流耐受能力使其能够在瞬态过载或启动冲击条件下正常工作，增强了电路鲁棒性。
值得一提的是，该型号通过了AEC-Q101车规认证，表明其经过严格的应力测试（如高温反偏、温度循环、机械冲击等），可在汽车电子复杂环境中长期可靠运行。这一特性使其不仅限于消费类电子产品，还可广泛用于车载摄像头模块、车身控制单元、仪表盘显示驱动等要求高可靠性的应用场景。整体而言，BR35HB32FVT-WCTE2是一款集高效、紧凑、可靠于一体的先进肖特基二极管解决方案。
BR35HB32FVT-WCTE2适用于多种需要高效整流和快速响应的电子系统。常见应用包括便携式消费电子产品中的DC-DC转换器，作为输出整流或续流二极管使用，帮助提升电源效率并延长电池续航时间。在LED背光驱动电路中，它可用于防止反向电压损坏LED串，同时降低功耗。该器件也常被用于电源路径管理单元，实现主副电源之间的无缝切换或防止电池反接造成损坏。在通信设备和智能穿戴设备中，由于其小型化封装和低剖面设计，非常适合高密度集成需求。此外，得益于其通过AEC-Q101认证，该型号也被广泛应用于汽车电子领域，如车载导航系统、车载充电器、远程无钥匙进入模块、传感器供电电路等，满足严苛的温度和振动环境要求。工业控制设备、IoT终端节点以及低功率适配器中也能见到其身影，发挥其在高频开关和节能方面的优势。
RB751S-40T1U
RB751V-40T1U
SS12FL
SBM230ALT1G
BAT54C
