时间：2025/5/30 19:01:42
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RHRD660S9R 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高压 MOSFET，属于 STPOWER 系列。该器件采用了先进的功率技术制造，具有出色的开关特性和低导通电阻，适用于多种高电压应用场合。这款 MOSFET 的额定电压为 650V，广泛用于工业电源、电机驱动、LED 驱动器和太阳能逆变器等场景。
RHRD660S9R 的封装形式为 TO-247，这种封装提供了良好的散热性能，使其能够承受较高的功率负载。此外，该器件还具备快速开关速度和低栅极电荷特性，有助于提高系统的效率并降低电磁干扰（EMI）。
类型：MOSFET
额定电压：650V
额定电流：9A
导通电阻（最大值）：1.3Ω
栅极电荷：28nC
连续漏极电流：9A
封装：TO-247
RHRD660S9R 具有以下关键特性：
1. 高击穿电压：其额定电压为 650V，能够在高电压环境下稳定工作。
2. 低导通电阻：在典型的工作条件下，该器件的导通电阻仅为 1.3Ω，有助于减少导通损耗。
3. 快速开关速度：低栅极电荷和优化的内部结构使得 RHRD660S9R 能够实现快速开关，从而提高系统效率。
4. 优异的热性能：采用 TO-247 封装，提供卓越的散热能力，可有效降低结温，延长器件寿命。
5. 强大的抗雪崩能力：具备优秀的抗雪崩能力，能够在异常条件下保护电路。
RHRD660S9R 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动：如伺服电机和步进电机驱动器。
3. LED 照明：用于大功率 LED 驱动器。
4. 太阳能逆变器：在光伏系统中作为关键的功率开关元件。
5. 电池充电器和其他电力电子设备：如 UPS 和焊接设备。
RHRD650S9R, IRFP460, STW14NM65H
