时间：2025/12/25 11:40:23
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BR24T256FVT-WE2是一款由Rohm（罗姆）公司生产的串行EEPROM存储器芯片，采用I2C总线接口，容量为256K位（即32K字节），属于其高性能、低功耗的非易失性存储器产品系列之一。该器件专为需要高可靠性数据存储和频繁写入操作的应用而设计，广泛应用于工业控制、消费电子、通信设备以及汽车电子等领域。BR24T256FVT-WE2支持宽电压工作范围，适用于多种供电环境，并具备出色的抗噪声性能和数据保持能力。该芯片采用小型化的SOT-23-5封装形式，节省PCB空间，适合对尺寸敏感的设计需求。此外，它集成了写保护功能，可通过硬件引脚控制防止意外的数据覆盖或修改，提升了系统的安全性与稳定性。其内部结构划分为多个页面，支持页写入模式，提高了批量数据写入效率。通过I2C协议进行通信时，该芯片支持标准模式（100kHz）、快速模式（400kHz）以及高速模式（1MHz），能够满足不同系统对传输速率的要求。在掉电后仍能可靠保存数据，典型数据保持时间可达100年，并支持高达10^6次的擦写寿命，远超传统EEPROM器件，非常适合需要长期频繁更新数据的场景。
型号：BR24T256FVT-WE2
制造商：Rohm
存储容量：256 Kbit (32 KB)
组织结构：32,768 × 8 位
接口类型：I2C / Two-wire Serial Interface
工作电压范围：1.7V ~ 5.5V
时钟频率：最高支持1MHz（高速模式）
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装形式：SOT-23-5
写保护功能：有（WP引脚）
写入寿命：1,000,000 次/字节
数据保持时间：100 年
自定时写入周期：典型5ms
待机电流：最大1μA（典型值0.1μA）
工作电流：读取时最大300μA（@ 1MHz）
BR24T256FVT-WE2具备多项先进特性，使其在同类EEPROM产品中具有显著优势。首先，其宽电压工作范围（1.7V至5.5V）允许其在多种电源条件下稳定运行，无论是由电池供电的便携式设备还是固定电压系统均可兼容使用，增强了应用灵活性。其次，该芯片支持最高达1MHz的I2C通信速率，兼容标准、快速及高速模式，大幅提升了数据传输效率，特别适用于需要高频读写操作的实时控制系统。其内置的硬件写保护（WP引脚）可在外部控制写入权限，当WP接地时可正常写入；拉高至VCC则锁定整个存储区域，防止误操作导致关键数据丢失，极大提高了系统安全性。
该器件采用高可靠性浮栅技术制造，确保每个存储单元可承受多达一百万次的擦写循环，远高于普通EEPROM的十万次水平，适用于日志记录、参数调整等需频繁更新数据的应用场景。同时，数据保持时间长达100年，在极端温度环境下依然能可靠保存信息，满足工业级和汽车级产品的长期稳定性要求。低功耗设计是另一大亮点：待机电流低至0.1μA，有效延长了电池供电设备的工作时间。此外，片内集成自动定时写入机制，无需外部控制器干预即可完成编程过程，简化了软件设计流程。
BR24T256FVT-WE2还具备良好的抗干扰能力和电磁兼容性，能够在复杂电气环境中稳定工作。其SOT-23-5小型封装不仅节省PCB面积，也便于自动化贴装，有助于提高生产效率并降低成本。所有引脚均经过ESD保护设计，典型HBM耐受能力超过4kV，提升了器件在运输和焊接过程中的安全性。整体而言，这款EEPROM在性能、可靠性、功耗和封装方面实现了优异平衡，是现代嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。
BR24T256FVT-WE2因其高可靠性、低功耗和小封装特性，被广泛应用于多个领域。在消费类电子产品中，常用于智能手机、平板电脑、智能手表等设备中存储校准参数、用户设置或序列号信息。在工业自动化系统中，可用于PLC模块、传感器节点和数据采集装置中记录配置数据和运行日志。在通信设备如路由器、交换机和光模块中，该芯片用于存储MAC地址、设备标识和温度补偿参数。汽车电子方面，适用于车载娱乐系统、仪表盘、ECU单元等需要非易失性存储且工作环境较恶劣的场合，其宽温特性和长寿命保障了车辆在整个生命周期内的数据完整性。此外，在医疗设备、智能家居控制器和物联网终端中也有广泛应用，尤其适合那些依赖电池供电、要求长时间数据保存且空间受限的设计。由于支持I2C高速模式，也可用于需要快速加载配置信息的启动系统中，提升整体响应速度。其写保护功能使其成为安全敏感型应用的理想选择，例如金融终端或身份认证模块中的密钥存储区备份。总之，任何需要可靠、高效、小型化非易失性存储的嵌入式系统都可以考虑采用BR24T256FVT-WE2作为核心存储元件。
M95256-WMN6P
AT24C256C-SSHM-T
CAT24C256VI-GT3
