类型：CMOS 运算放大器
　　通道数：1
　　电源电压（单电源）：2.1V 至 5.5V
　　电源电压（双电源）：±1.05V 至 ±2.75V
　　静态电流：典型值 60μA
　　输入失调电压：最大 3mV
　　输入偏置电流：典型值 1pA
　　增益带宽积（GBW）：1.2MHz
　　压摆率（Slew Rate）：0.6V/μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　输出电流：±20mA
　　共模抑制比（CMRR）：90dB
　　电源抑制比（PSRR）：90dB
　　单位增益稳定：是
　　封装形式：SOT23-5, SOIC-8

TMI3411的核心特性之一是其基于CMOS工艺实现的极低输入偏置电流，典型值仅为1pA，远优于传统的BJT工艺运放。这一特性使其在高阻抗信号源应用中表现出色，例如传感器信号调理、光电二极管前置放大和电化学检测电路等场景。由于输入级采用MOSFET结构，输入阻抗极高，通常可达到10^12Ω以上，显著降低了对前级电路的负载效应，从而提高了系统的测量精度和信噪比。此外，低输入失调电压（最大3mV）确保了在直流或低频信号放大时具有较小的初始误差，有助于减少系统校准成本。
　　另一个关键特性是其低功耗性能。TMI3411的静态电流仅为60μA，适用于电池供电或对能效要求较高的便携式设备，如智能穿戴设备、无线传感器节点和手持式测试仪器。尽管功耗极低，但其增益带宽积仍达到1.2MHz，压摆率为0.6V/μs，足以支持大多数通用信号处理需求，包括滤波、比较、电压跟随和跨阻放大等功能。该器件在单位增益下保持稳定，无需额外补偿即可用于电压缓冲器配置。
　　TMI3411具备宽电源电压范围（2.1V至5.5V），支持单电源供电，便于与3.3V或5V逻辑系统直接接口。其轨到轨输入输出设计使得信号动态范围最大化，能够在接近电源轨的电压水平下正常工作，提升ADC前端驱动能力。同时，器件具有良好的温度稳定性，在-40°C至+125°C范围内参数漂移小，适用于工业级应用场景。内置的过热关断和输出短路保护机制进一步增强了系统的鲁棒性，防止因误操作或外部故障导致芯片损坏。

TMI3411因其优异的性能和高集成度，被广泛应用于多个电子领域。在工业自动化系统中，常用于压力、温度、湿度等传感器信号的放大与调理，配合ADC实现精确数据采集。其高输入阻抗和低偏置电流特别适合用于光电探测器或离子敏感场效应晶体管（ISFET）等微弱电流信号的跨阻放大电路。
　　在消费类电子产品中，TMI3411可用于音频前置放大、触摸屏控制器信号处理、电池电量检测电路以及充电管理模块中的电压比较与监控功能。由于其低噪声和稳定的工作特性，也适用于小型麦克风放大器或心率监测设备中的生物电信号预处理。
　　在便携式医疗设备如血糖仪、脉搏血氧计中，TMI3411能够可靠地放大微弱的生理信号，并在低电压下长期稳定运行，延长设备续航时间。此外，在物联网终端节点中，该芯片可用于信号链前端，将各类环境传感器输出的模拟信号进行调理后送入MCU进行处理。
　　通信接口电路中，TMI3411也可作为线路接收端的缓冲器或滤波器使用，提升信号完整性。其SOT23-5小型封装非常适合空间受限的应用，而SOIC-8版本则更适合通孔或手工焊接场景。总体而言，TMI3411是一款兼顾性能、功耗与成本的理想通用运放解决方案。

LMV321
　　TLV2461
　　MAX44261
　　BGM321