型号：BR24L08FVT-WE2
　　制造商：Rohm
　　存储容量：8 Kbit (1024 x 8)
　　接口类型：I2C, 2-wire
　　工作电压范围：1.7V ~ 5.5V
　　时钟频率：最高400 kHz (标准模式和快速模式)
　　封装类型：SOT-23-5
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　写入耐久性：1,000,000 次
　　数据保持时间：100 年
　　写保护功能：有（通过WP引脚）
　　自定时写入周期：典型5 ms

BR24L08FVT-WE2的特性之一是其高性能的I2C串行接口，支持标准模式（100kHz）和快速模式（400kHz），允许主机在高速下进行数据读写操作，显著提升通信效率。该接口遵循Philips I2C协议规范，具备多主控和从机地址识别能力，最多可支持在同一总线上连接8个具有不同地址的EEPROM设备（通过A0-A2地址引脚配置）。这种灵活的寻址机制使得系统扩展更加方便，特别适用于需要多个存储单元的复杂系统。此外，I2C接口仅需两根信号线（SDA和SCL），极大减少了PCB布线复杂度和引脚占用，非常适合引脚资源有限的微控制器应用。
　　另一个关键特性是其低功耗设计。在待机模式下，该芯片的电流消耗极低，典型值仅为1 μA，而在读写操作期间的工作电流也控制在合理范围内（例如，读取电流约150 μA）。这一特点使其非常适用于电池供电设备，如可穿戴设备、传感器节点、智能卡和便携式医疗仪器等，有助于延长设备的整体续航时间。同时，宽电压工作范围（1.7V至5.5V）使其不仅兼容3.3V和5V逻辑系统，还能在单节锂电池电压逐渐下降的过程中持续工作，增强了系统的适应性和稳定性。
　　该器件还集成了片上写保护机制，通过一个独立的WP（Write Protect）引脚实现硬件级别的写保护控制。当WP引脚接地时，允许正常写入操作；当拉高至VCC时，则禁止所有写操作，从而有效防止因噪声干扰、程序错误或意外断电导致的数据损坏。此功能在关键数据存储场合尤为重要，例如校准参数、序列号或用户设置的保存。此外，芯片内部采用CMOS工艺制造，具备良好的抗噪能力和温度稳定性，确保在工业级温度范围（-40°C至+85°C）内可靠运行。
　　BR24L08FVT-WE2还具备出色的耐久性和数据保持能力。其每个存储单元可承受高达100万次的擦写循环，远超许多同类产品，适用于需要频繁更新数据的应用，如日志记录、状态追踪等。同时，即使在断电情况下，存储的数据也能保持长达100年，确保信息的长期可靠性。该芯片采用SOT-23-5封装，体积小巧，便于自动化贴装，适用于高密度PCB布局。整体设计兼顾性能、功耗、可靠性和环保要求，是一款成熟可靠的串行EEPROM解决方案。

BR24L08FVT-WE2广泛应用于各类需要非易失性存储的电子系统中。常见用途包括消费类电子产品中的配置参数存储，例如电视、音响、机顶盒等设备中用于保存用户设置、音量等级、频道列表等信息。在工业控制系统中，它可用于存储设备校准数据、运行日志或故障代码，确保系统重启后能恢复到之前的状态。此外，在通信模块如Wi-Fi、蓝牙或ZigBee模块中，该芯片常被用来存储MAC地址、网络配置或固件参数，保障模块的唯一性和可识别性。
　　在汽车电子领域，BR24L08FVT-WE2可用于车身控制模块、仪表盘或车载娱乐系统中，存储车辆配置、驾驶偏好或维修记录。由于其宽温范围和高可靠性，能够适应复杂的车载环境。在医疗设备方面，如血糖仪、体温计或便携式监护仪中，该芯片可用于保存患者历史数据、设备校准信息或使用次数统计，确保数据不丢失且准确可追溯。
　　此外，该芯片也适用于智能家居设备，例如智能门锁、温控器或照明系统，用于存储用户密码、定时设置或场景模式。在物联网（IoT）终端节点中，常用于缓存传感器采集的数据或上传前的状态标记。由于其小封装和低功耗特性，特别适合部署在空间受限且依赖电池供电的无线传感网络中。整体而言，BR24L08FVT-WE2凭借其稳定的性能和广泛的兼容性，成为众多嵌入式系统中不可或缺的存储元件。

M24C08-RMN6TP
　　AT24C08D-XHM-T