品牌：ROHM
　　类型：EEPROM
　　存储容量：16 Kbit
　　组织结构：2K x 8
　　接口类型：I2C (2-wire)
　　工作电压范围：1.7V ~ 5.5V
　　时钟频率：最高支持1 MHz (高速模式)
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：SOT-23-6
　　写保护功能：有
　　自定时写周期：典型值5 ms
　　写耐久性：10^6 次写入/擦除周期
　　数据保持时间：100 年
　　噪声抑制：施密特触发输入
　　地址引脚数量：2 (A0, A1)
　　设备地址：1010xxx (通过A0/A1配置)
　　电源电流（读模式）：典型值0.3 mA
　　电源电流（待机模式）：典型值1 μA

BR24C16-DW6TP具备出色的电气性能与可靠性设计，能够在1.7V至5.5V的宽电压范围内正常工作，使其适用于从低电压单节电池供电设备到标准5V系统的广泛应用环境。这种宽电压适应能力不仅提高了系统的兼容性，还简化了电源设计。器件支持I2C总线的多种速度模式，包括标准模式（100kHz）、快速模式（400kHz）和高速模式（1MHz），显著提升了数据传输速率，在需要频繁读写存储的应用中表现出色。其内部集成了噪声抑制电路和施密特触发输入缓冲器，能够有效滤除总线上的高频噪声和抖动，确保在电磁干扰较强的工业或车载环境中仍能维持稳定的通信质量。
　　该芯片提供硬件写保护功能，通过WP引脚控制，当该引脚接地时允许写操作；拉高至VCC则禁止所有写入动作，从而避免因电源波动或程序异常导致的关键数据被误改写。这一特性对于需要长期稳定运行的系统尤为重要。存储阵列划分为128页，每页16字节，支持页写入操作，最大一次可写入16个连续字节，优化了大数据量写入效率。同时，芯片内置自动定时写周期控制逻辑，无需外部延时，完成写操作后会自动进入待机状态，并响应总线上的其他请求。
　　BR24C16-DW6TP具有高达100万次的写/擦除耐久性，远超传统存储器，适用于需要频繁更新数据的场景。数据保持时间长达100年，保证了即使在断电多年后信息依然可靠。器件采用先进的CMOS工艺制造，静态功耗极低，待机电流仅约1μA，非常适合便携式和电池供电设备。此外，它支持通过A0和A1两个地址引脚设置设备地址，允许多达四个相同型号的EEPROM共存于同一I2C总线上，增强了系统的可扩展性。所有这些特性共同构成了一个高性能、高可靠性的非易失性存储解决方案。

BR24C16-DW6TP广泛应用于需要小容量非易失性存储的各种电子系统中。常见使用场景包括消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能手表和家用电器，用于保存用户偏好设置、设备序列号或校准参数。在通信设备中，可用于存储网络配置信息、MAC地址或其他固件相关数据。工业控制系统利用其高可靠性进行PLC参数存储、传感器校准值记录以及运行日志保存。汽车电子领域也常将其用于车载娱乐系统、仪表盘模块或ECU中，存储个性化配置或故障代码信息。
　　由于其小型化封装（SOT-23-6）和低功耗特性，该芯片特别适合空间受限的便携式设备，例如蓝牙耳机、无线传感器节点、可穿戴健康监测设备等。医疗仪器中常用它来保存患者数据、设备校准信息或使用历史记录。此外，在POS终端、条码扫描器、智能家居控制器等商业设备中也有广泛应用。得益于I2C接口的通用性和简单的软硬件接口设计，开发者可以快速将其集成到基于微控制器（MCU）或SoC的嵌入式系统中，降低开发难度与成本。总体来看，任何需要安全、持久且可重复写入的数据存储功能的场合，都是BR24C16-DW6TP的理想选择。

M24C16-RMN6P
　　AT24C16D-PU-2.7
　　CAT24C16WI-GT3
　　FM24C16B-GTR