类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：2A
　　漏极峰值电流（Idm）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤3.0Ω
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（Pd）：50W

KF2N60D-RTF/H MOSFET具有多项优异的电气和热性能特性，能够满足高压和高可靠性应用的需求。首先，其最大漏源电压（Vds）为600V，使其适用于中高压功率转换系统，如开关电源和LED驱动电源。其次，该器件的栅源电压（Vgs）为±30V，具备较强的栅极保护能力，从而提高了器件在复杂工作环境下的稳定性。
　　导通电阻Rds(on)的最大值为3.0Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，KF2N60D-RTF/H的连续漏极电流为2A，在短时间内可承受高达4A的峰值电流，增强了其在瞬态负载条件下的适应能力。
　　该器件采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于需要较高功率耗散（最大50W）的应用环境。同时，其工作温度范围从-55℃到+150℃，展现了出色的环境适应性，适合在工业级温度条件下稳定运行。
　　由于其低栅极电荷（Qg）和快速开关特性，KF2N60D-RTF/H能够在高频开关电路中表现出色，减少开关损耗，提高系统效率。这些特性使其成为电源适配器、电池充电器、DC-DC转换器和电机控制电路中的理想选择。

KF2N60D-RTF/H广泛应用于各类中高压功率电子设备中。在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可用于初级侧开关，提供高效率和稳定的电源转换性能。在LED照明系统中，它可作为恒流驱动电路的关键开关元件，确保光源的稳定性和寿命。此外，KF2N60D-RTF/H也适用于电池充电器、电机驱动器、功率因数校正（PFC）电路以及各种工业控制设备。
　　在消费类电子产品中，该器件常用于电源管理模块，如电源适配器、无线充电器和变频空调的控制电路中。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，KF2N60D-RTF/H也可作为功率开关使用，实现高效的能量转换。
　　其高可靠性和宽工作温度范围也使其在工业自动化系统、医疗设备和智能家电中得到了广泛应用，例如用于控制继电器、电磁阀和电机等负载。

2N60D, FQP2N60C, IRF840, KF2N60F, STP2N60K3