VNB10N07TR-E 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用了 TO-263 (D2PAK) 封装,适用于高频开关应用和负载切换等场景。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性使其在各种电力电子设计中表现出色,广泛用于消费类电子产品、工业设备及通信电源等领域。
VNB10N07TR-E 的最大工作电压为 70V,能够支持高效率的功率转换,并且具备较低的栅极电荷和输出电容,有助于提高系统整体性能。
最大漏源电压(Vds):70V
连续漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):8.5mΩ
栅极电荷(Qg):9nC
输入电容(Ciss):800pF
总功耗(Ptot):40W
工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-263 (D2PAK)
VNB10N07TR-E 的主要特点是低导通电阻和优秀的开关性能,能够在高频应用中实现更低的传导损耗和开关损耗。
1. 高效的功率传输:由于其超低 Rds(on),该器件在功率转换电路中能显著减少能量损失。
2. 快速开关能力:低栅极电荷和输出电容确保了更快的开关速度,从而降低了开关损耗。
3. 稳定性强:具有出色的雪崩能力和热稳定性,能够在恶劣的工作条件下保持可靠运行。
4. 小型化设计:TO-263 封装既提供了良好的散热性能,又节省了 PCB 空间。
5. 广泛的温度适应性:能够在 -55°C 到 +150°C 的结温范围内稳定工作,适合多种环境的应用需求。
VNB10N07TR-E 可以应用于多个领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS):如 AC/DC 和 DC/DC 转换器中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动:用于无刷直流电机(BLDC)驱动器中的功率级控制。
3. 电池管理:适用于电池保护电路和充电管理系统。
4. 工业自动化:用于可编程逻辑控制器(PLC)和其他工业设备中的功率控制。
5. 消费类电子产品:如笔记本电脑适配器、LED 驱动器等需要高效功率转换的应用场景。
VNP10N07LT-E, IRFZ44N, FDP15N07