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BQ4015LYMA-70N 发布时间 时间：2022/11/22 13:56:04 查看 阅读：451

    制造商: Texas Instruments

    产品种类: NVRAM

    数据总线宽度: 8 bit

    存储容量: 4 Mbit

    组织: 512Kx8

    封装 / 箱体: DIP Module

 

目录

概述

    制造商: Texas Instruments

    产品种类: NVRAM

    数据总线宽度: 8 bit

    存储容量: 4 Mbit

    组织: 512Kx8

    封装 / 箱体: DIP Module

    接口类型: Parallel

    访问时间: 70 ns

    电源电压（最大值）: 3.6 V

    电源电压（最小值）: 3 V

    工作电流: 50 mA

    最大工作温度: + 85 C

    最小工作温度: - 40 C

    工作电源电压: 3.3 V

    类型: NVSRAM


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BQ4015LYMA-70N参数

  • 标准包装12
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM（非易失 SRAM）
  • 存储容量4M (512K x 8)
  • 速度70ns
  • 接口并联
  • 电源电压3 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳32-DIP 模块（0.61"，15.49mm）
  • 供应商设备封装32-DIP 模块（18.42x42.8）
  • 包装托盘
  • 其它名称296-22090-5

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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