BQ4015LYMA-70N
时间:2022/11/22 13:56:04
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制造商: Texas Instruments
产品种类: NVRAM
数据总线宽度: 8 bit
存储容量: 4 Mbit
组织: 512Kx8
封装 / 箱体: DIP Module
概述
制造商: Texas Instruments
产品种类: NVRAM
数据总线宽度: 8 bit
存储容量: 4 Mbit
组织: 512Kx8
封装 / 箱体: DIP Module
接口类型: Parallel
访问时间: 70 ns
电源电压(最大值): 3.6 V
电源电压(最小值): 3 V
工作电流: 50 mA
最大工作温度: + 85 C
最小工作温度: - 40 C
工作电源电压: 3.3 V
类型: NVSRAM
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BQ4015LYMA-70N参数
- 标准包装12
- 类别集成电路 (IC)
- 家庭存储器
- 系列-
- 格式 - 存储器RAM
- 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
- 存储容量4M (512K x 8)
- 速度70ns
- 接口并联
- 电源电压3 V ~ 3.6 V
- 工作温度-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳32-DIP 模块(0.61",15.49mm)
- 供应商设备封装32-DIP 模块(18.42x42.8)
- 包装托盘
- 其它名称296-22090-5