时间：2025/7/9 23:36:23
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BSL302SN是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力的特点，适用于多种功率管理应用。其小型封装设计使其非常适合空间受限的应用场景。
BSL302SN的工作电压范围较广，能够承受较高的漏源极电压，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压(V_DS)：40V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
最大漏极电流(I_D)：68A
导通电阻(R_DS(on))：2.5mΩ（典型值，在V_GS=10V时）
总功耗(P_TOT)：128W
结温范围(T_J)：-55℃至+175℃
封装类型：TO-263-3
1. 极低的导通电阻，减少传导损耗，提高效率。
2. 快速开关特性，适合高频开关应用。
3. 高雪崩能力和坚固的设计确保在恶劣条件下的可靠运行。
4. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求。
5. 提供卓越的热性能表现，有助于延长使用寿命。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
2. 直流-直流转换器(DC-DC)中的功率开关。
3. 电机驱动和负载切换控制。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换元件。
BSC016N04LS G,
IRLB8721PBF,
AO3400
