时间：2025/9/14 23:41:58
阅读：56
PZU3.0B 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）制造的齐纳二极管（Zener Diode），主要设计用于电压调节和过压保护应用。该器件具有3.0V的齐纳击穿电压，适用于低电压电路中的稳压和参考电压生成。PZU3.0B采用小外形SOD-323封装，适合在空间受限的便携式电子设备中使用。
类型：齐纳二极管
齐纳电压（Vz）：3.0 V
最大齐纳电流（Iz）：200 mA
最大功耗（Ptot）：300 mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOD-323
引脚数：2
最大反向漏电流（Ir）：100 nA（在Vz - 0.1V下）
PZU3.0B具备精确的电压调节能力，齐纳电压容差为±5%，确保在各种工作条件下保持稳定的输出电压。其低动态阻抗特性有助于减少输出电压随负载变化的波动，从而提高电路的稳定性。此外，PZU3.0B的快速响应时间使其能够有效地应对瞬态电压变化，提供可靠的电压钳位保护。
该器件的SOD-323封装具有较小的体积和良好的热性能，适合在高密度PCB设计中使用。PZU3.0B的低功耗特性也有助于延长电池供电设备的使用寿命。该齐纳二极管符合RoHS环保标准，适用于各种消费电子、工业控制和通信设备。
PZU3.0B广泛应用于需要稳定3.0V电压的电路中，例如微控制器、传感器、ADC/DAC转换器等低功耗电子元件的电压参考源。它也常用于电源管理电路中，作为过压保护器件，防止敏感电子元件受到电压尖峰的损害。此外，该器件可用于电池充电电路、电压监测系统和低电压检测电路中，确保系统的可靠运行。
BZX84-C3V0, ZMM3V0, MMSZ5226B
