类型：NPN 晶体管
　　封装形式：TO-39（金属封装）
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：30 V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：35 V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：2 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极耗散功率（Ptot）：600 mW
　　直流电流增益（hFE）：最小 175（典型值可达 300），测试条件 IC = 2 mA
　　过渡频率（fT）：典型值 400 MHz
　　噪声系数（NF）：典型值 1.5 dB（在 f = 1 kHz，IC = 100 μA 条件下）
　　工作结温范围（Tj）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C

BPX81-3晶体管的核心优势在于其出色的低噪声性能和高频率响应能力，这使其特别适用于对信噪比要求严格的前置放大电路。其噪声系数在典型工作条件下可低至1.5dB，尤其是在微弱信号放大的应用场景中，如无线电接收前端、测量仪器输入级等，能够显著减少信号链路中的噪声引入，从而提升整体系统的灵敏度和动态范围。
　　该器件的直流电流增益（hFE）较高，通常在175以上，在小电流工作区域（例如IC = 2mA时）仍能维持良好的放大线性度，有利于实现高保真模拟信号放大。同时，其过渡频率高达400MHz，表明它可以在甚高频（VHF）波段内有效工作，适用于调频广播、电视信号处理、无线通信模块中的中频或射频放大环节。
　　TO-39金属封装不仅提供了优异的散热性能，还增强了器件对外部电磁干扰的屏蔽能力，有助于提高电路的抗干扰能力和长期稳定性。此外，这种封装结构更易于通过螺钉固定于散热器上，对于需要长时间连续运行或环境温度较高的工业应用尤为重要。
　　BPX81-3的工作温度范围宽广，从-65°C到+175°C，使其能在极端环境下保持功能完整性，适用于航空航天、军事电子及工业控制等可靠性要求高的领域。尽管现代表面贴装器件逐渐取代了部分通孔器件，但BPX81-3因其成熟的设计和稳定的供货历史，在维修替换和特定高性能模拟电路中依然保有一席之地。

BPX81-3主要用于需要低噪声、高增益和良好频率响应的模拟电子系统中。一个典型的应用场景是作为高频小信号放大器，特别是在射频接收机的输入级中，用于放大天线接收到的微弱射频信号，同时尽可能不引入额外噪声，以保证后续混频、解调过程的信号质量。该晶体管也常用于通信设备中的中频放大器模块，例如在短波收音机、业余电台、对讲机等产品中发挥关键作用。
　　在测试与测量仪器领域，如示波器、频谱分析仪和信号发生器的前端模拟电路中，BPX81-3可用于构建低失真、低噪声的缓冲放大器或电压跟随器，确保原始信号在传输过程中不失真。此外，在高保真音频设备中，尤其是前置放大电路或麦克风输入级，该晶体管也被用来实现高质量的声音信号放大，因其低噪声特性和良好的线性表现而受到青睐。
　　工业控制系统中的传感器信号调理电路也是BPX81-3的重要应用方向之一。许多传感器输出的是毫伏级别的微弱电信号，必须经过一级或多级放大才能被ADC采集。在此类应用中，BPX81-3可以作为第一级放大元件，有效抑制共模干扰并提升信噪比。
　　此外，由于其金属封装具备一定的抗辐射和耐高温能力，BPX81-3有时也会出现在航空电子设备或特殊工业环境中，用于构建高可靠性的小信号放大电路。虽然目前已有一些性能更优的替代方案，但在维护老旧设备或对元器件一致性要求较高的情况下，BPX81-3仍然是工程师们信赖的选择。

BCX81-3