型号：BPA02SK
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：8.4A
　　漏源导通电阻（RDS(on)）：17mΩ（@ VGS = 10V）
　　漏源导通电阻（RDS(on)）：21mΩ（@ VGS = 4.5V）
　　栅极阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　栅极电荷（Qg）：11nC（@ VGS = 10V）
　　输入电容（Ciss）：490pF（@ VDS = 15V）
　　功率耗散（Pd）：2W（TA=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23(SMT)

BPA02SK具备出色的导通性能和开关特性，其低RDS(on)显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统的能源效率。在VGS为10V时，RDS(on)仅为17mΩ，而在常见的4.5V驱动电压下也能保持21mΩ的低阻值，这使其适用于低压大电流的应用场合，如同步整流和负载开关。该器件的栅极电荷（Qg）仅为11nC，结合较低的输入电容（Ciss = 490pF），大幅减少了驱动电路所需的能量，同时加快了开关速度，有效降低了开关过程中的动态损耗。这对于高频工作的DC-DC变换器尤为重要，有助于提升转换效率并减小外围元件尺寸。
　　BPA02SK采用SOT-23小型表面贴装封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，特别适用于移动设备中对空间要求严格的场景。尽管封装尺寸小，但其热设计经过优化，能够在适当的散热条件下承受高达2W的功率耗散。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，表现出良好的热稳定性，可在严苛环境温度下可靠运行。此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力和良好的dv/dt抗扰度，增强了系统在瞬态过压或负载突变情况下的鲁棒性。
　　该器件还具备良好的ESD保护能力，提高了生产过程中和实际使用中的可靠性。其栅极氧化层质量优良，避免因静电放电导致的早期失效。BPA02SK符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对环保和安全性的要求。由于其优异的综合性能，BPA02SK常被用作高性能电源管理单元中的关键开关元件，尤其在需要快速响应和高效能转换的场合表现出色。

BPA02SK广泛应用于便携式电子设备中的电源管理电路，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池供电切换与负载开关控制。它也常用于同步降压型DC-DC转换器中作为低边开关，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升转换效率。此外，该器件适用于LED背光驱动电路、电机驱动模块以及各类需要高效能功率开关的小型化电子产品。其高可靠性与小型封装使其成为工业传感器、IoT终端设备和无线通信模块中理想的功率开关解决方案。在热插拔电路和电源多路复用系统中，BPA02SK也能发挥出色的性能，提供稳定的电流控制和过流保护能力。