PMZB390UNEYL 时间：2025/12/28 14:26:28 阅读：18

PMZB390UNEYL 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理和功率开关应用而设计，采用了先进的沟槽栅技术和优化的芯片结构，提供了低导通电阻（RDS(on)）和高耐压能力。PMZB390UNEYL 采用无铅环保封装，符合 RoHS 和 REACH 环保标准，适用于各种便携式设备、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：12 A（在 VGS=10 V 时）
　　导通电阻 RDS(on)：最大 28 mΩ（在 VGS=10 V 时）
　　阈值电压 VGS(th)：1.0 V 至 2.5 V
　　功耗（Ptot）：3.1 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6 mm

特性

PMZB390UNEYL 具有低导通电阻（RDS(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率。其先进的沟槽栅技术确保了器件具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力。
　　该 MOSFET 在封装设计上采用了 PowerFLAT 5x6 mm 的无引脚封装，具有更小的 PCB 占用面积和更优的热管理性能，适用于高密度 PCB 设计。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽，兼容常见的 4.5 V 至 10 V 驱动电路，适用于多种控制方案。
　　PMZB390UNEYL 还具备较高的耐用性和稳定性，能够在高温和高负载条件下长期稳定工作。其低热阻特性使得器件在高电流工作时温升较低，进一步提升了系统的可靠性。
　　该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和抗短路能力，能够在突发负载或异常工况下保持稳定运行。此外，它还具有较低的开关损耗，适用于高频开关电源应用。

应用

PMZB390UNEYL 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备和便携式电子产品。其低导通电阻和高效率特性使其非常适合用于高效率开关电源（SMPS）和电机控制电路。
　　在服务器电源、笔记本电脑电源适配器和 USB PD 快充设备中，该 MOSFET 可用于同步整流和功率开关。此外，在工业电机驱动和自动化控制系统中，PMZB390UNEYL 可用于 PWM 控制和功率调节电路。
　　由于其优异的热性能和高集成度，该器件也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器和车身控制模块等。