BP2808 时间：2025/5/31 2:07:47 阅读：34

BP2808是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率控制的电子电路中。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于高频开关应用。
　　BP2808采用了先进的制造工艺，能够实现快速开关和高效的能量转换，同时具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：11A
　　导通电阻：2.6mΩ
　　总功耗：15W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

BP2808具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
　　2. 快速开关速度，适合高频应用环境。
　　3. 高电流承载能力，确保在高负载条件下稳定运行。
　　4. 宽广的工作温度范围，适应各种恶劣环境下的使用需求。
　　5. 良好的热稳定性，保证长时间工作的可靠性。
　　6. 符合RoHS标准，环保无害。

应用

BP2808的主要应用场景包括：
　　1. 开关电源中的功率开关元件。
　　2. 直流电机驱动电路中的开关或调节器。
　　3. 各类负载开关，用于保护电路免受过载影响。
　　4. LED驱动器，提供精确的电流控制。
　　5. 电池管理系统中的功率管理组件。
　　6. 其他需要高效功率控制和低损耗的应用领域。