BP2808是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率控制的电子电路中。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适用于高频开关应用。
BP2808采用了先进的制造工艺,能够实现快速开关和高效的能量转换,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:11A
导通电阻:2.6mΩ
总功耗:15W
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220
BP2808具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度,适合高频应用环境。
3. 高电流承载能力,确保在高负载条件下稳定运行。
4. 宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的使用需求。
5. 良好的热稳定性,保证长时间工作的可靠性。
6. 符合RoHS标准,环保无害。
BP2808的主要应用场景包括:
1. 开关电源中的功率开关元件。
2. 直流电机驱动电路中的开关或调节器。
3. 各类负载开关,用于保护电路免受过载影响。
4. LED驱动器,提供精确的电流控制。
5. 电池管理系统中的功率管理组件。
6. 其他需要高效功率控制和低损耗的应用领域。
IRFZ44N
FDP5500
STP11NM50
AO3400