时间：2025/9/5 5:29:01
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BM28N0.6-6DS/2-0.35V(51) 是一款由ROHM（罗姆）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率、低功耗的电源管理系统中。该器件采用高性能硅技术制造，具备低导通电阻和高电流承载能力的特点，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制等应用领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：28V
栅源电压（Vgs）：±10V
连续漏极电流（Id）：0.6A
导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：6DS/2
BM28N0.6-6DS/2-0.35V(51) 具备多项优良特性，使其在多种电子设备中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为0.35Ω，这有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。其次，该器件的连续漏极电流为0.6A，使其能够处理中等功率的应用需求，同时保持较小的封装尺寸。此外，BM28N0.6-6DS/2-0.35V(51) 的漏源电压为28V，栅源电压为±10V，适用于多种电源管理电路。该MOSFET采用ROHM的先进制造工艺，具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作，工作温度范围从-55°C到150°C，适应各种严苛的工作环境。
在封装方面，BM28N0.6-6DS/2-0.35V(51) 使用的是6DS/2封装，这是一种小型化的封装形式，有助于节省PCB空间，提高设计灵活性。该封装还具有良好的散热性能，进一步增强了器件在高负载条件下的稳定性。此外，该MOSFET的开关特性优异，具备较快的开关速度，有助于减少开关损耗，提高电路的响应速度。这些特性使其在DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、电机控制等领域具有广泛的应用潜力。
BM28N0.6-6DS/2-0.35V(51) 适用于多种电源管理和功率控制应用。首先，它可广泛用于DC-DC转换器中，作为高效的开关元件，帮助实现高效率的能量转换。其次，该MOSFET适用于电池管理系统（BMS），在便携式设备、电动工具和储能系统中用于控制充放电路径，确保电池的安全运行。此外，BM28N0.6-6DS/2-0.35V(51) 可作为负载开关使用，在智能电源管理系统中实现对不同负载的精确控制。该器件还适用于电机驱动电路，用于控制小型直流电机的启停和方向切换。在工业自动化、消费电子和汽车电子等领域，BM28N0.6-6DS/2-0.35V(51) 都具有良好的应用前景。
Si2302DS、FDN304P、2N7002、DMG2020LVT-7
