型号：1N4936-T
　　封装：DO-41
　　极性：单二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：400V
　　最大直流阻断电压（VR）：400V
　　最大均方根电压（VRMS）：280V
　　最大正向平均整流电流（IO）：1A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：30A（@8.3ms半正弦波）
　　最大正向电压降（VF）：1.25V（@1A）
　　最大反向漏电流（IR）：5μA（@25°C），500μA（@100°C）
　　反向恢复时间（trr）：500ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C

1N4936-T具备优良的高速开关特性，其反向恢复时间（trr）典型值为500ns，远优于传统的1N4007等通用整流二极管（通常在2~4μs）。这一特性使其在高频开关电源中能显著降低开关损耗，减少电磁干扰（EMI）的产生，提升系统整体效率。在实际应用中，尤其是在反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑结构中，快速恢复能力有助于抑制电压尖峰，保护主控IC和功率MOSFET。此外，该器件的最大重复峰值反向电压为400V，足以应对大多数离线式电源输入整流需求，包括宽电压输入范围（85~265VAC）的应用场景。
　　该二极管的正向平均整流电流为1A，在自然对流散热条件下可长期稳定工作。其正向压降在1A电流下典型值为1.1V，最大不超过1.25V，属于低VF范畴，有助于降低导通损耗，提高能效。在高温环境下，反向漏电流控制良好，在100°C时最大为500μA，避免了因漏电增加导致的功耗上升和热失控风险。器件采用玻璃钝化PN结工艺，提高了可靠性和抗浪涌能力，可承受高达30A的非重复浪涌电流（8.3ms半正弦波），增强了对电网瞬态冲击的耐受性。
　　1N4936-T的DO-41封装具有良好的机械强度和散热性能，适用于自动化插件和波峰焊工艺。其工作结温范围为-55°C至+150°C，能够在严苛的工业环境和高温密闭空间中稳定运行。该器件通过了多项国际可靠性认证，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环测试，确保在长期使用中的稳定性。此外，产品符合RoHS和REACH环保标准，支持绿色制造流程。由于其广泛的应用基础和成熟的生产工艺，1N4936-T在全球范围内供应充足，交期稳定，是中小功率电源设计中值得信赖的整流元件之一。

1N4936-T主要用于各类中低功率开关电源中的输出整流或输入桥式整流中的高速臂，特别适用于需要较高频率工作的电源拓扑。例如，在手机充电器、LED驱动电源、小型适配器、家用电器控制板电源模块中，常用于次级侧整流，替代普通整流管以提升效率。在离线式反激变换器中，该二极管可作为输出整流二极管，配合高频变压器实现高效AC-DC转换。此外，它也适用于DC-DC转换器中的续流二极管（Freewheeling Diode）或箝位电路（Snubber Circuit），用于吸收电感储能并防止电压反冲损坏开关器件。
　　在工业控制领域，1N4936-T可用于PLC电源模块、继电器驱动电路、电机控制板中的保护二极管，提供快速响应和可靠的反向隔离功能。在照明系统中，尤其是LED恒流驱动电源中，该器件用于构建初级或次级整流电路，保障电流单向流通，提升光效稳定性。此外，它还可用于电池充电电路、逆变电源、UPS不间断电源中的整流环节，以及各类消费电子产品如路由器、机顶盒、小家电等内部辅助电源部分。
　　由于其400V的耐压等级和1A的额定电流，1N4936-T适用于输入电压较高的场合，例如在220VAC供电系统中进行全波或半波整流。虽然在更高效率设计中逐渐被肖特基二极管或同步整流方案取代，但在成本敏感且对效率要求适中的应用中，1N4936-T仍具有明显的性价比优势。其成熟的设计资料和广泛的技术支持也使其成为工程师在原型开发和批量生产中的常用选型之一。

1N4936
　　1N4936G
　　V30AAM
　　MUR1100
　　HER107