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SP8J5FU6TB 发布时间 时间:2025/6/20 22:07:43 查看 阅读:4

SP8J5FU6TB 是一款高性能的电源管理芯片,广泛应用于需要高效能和低功耗的电子设备中。该芯片集成了多种功能模块,如开关稳压器、线性稳压器以及保护电路等,旨在为系统提供稳定可靠的电源解决方案。
  其设计优化了空间利用率,并提供了高精度的电压输出和快速瞬态响应能力,适用于消费类电子产品、通信设备及工业应用等领域。

参数

类型:电源管理芯片
  封装形式:QFN32
  工作电压范围:2.7V - 5.5V
  输出电流:高达 3A
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  静态电流:典型值 15μA
  开关频率:2.1MHz
  PSRR(1kHz):70dB
  效率(典型值):95%

特性

SP8J5FU6TB 具有以下显著特点:
  1. 高效的同步整流技术,能够实现高达 95% 的转换效率,从而减少发热并延长电池续航时间。
  2. 内置多重保护机制,包括过流保护、短路保护和过温关断功能,确保芯片在异常情况下仍能安全运行。
  3. 提供精准的输出电压调节能力,支持±1% 的电压精度。
  4. 快速瞬态响应设计使得芯片能够在负载突然变化时保持输出稳定。
  5. 小型化的 QFN32 封装节省了 PCB 空间,非常适合便携式设备。
  6. 支持脉冲跳跃模式 (PFM) 和固定频率 PWM 模式之间的自动切换,进一步提升轻载条件下的效率。

应用

该芯片适用于各种需要高效电源管理的应用场景,例如智能手机和平板电脑中的电源适配、可穿戴设备的电池充电管理、物联网终端的供电方案以及音频设备的电源供应等。此外,在便携式医疗设备和工业自动化控制领域也有广泛应用。

替代型号

SP8J5FU6TA, SP8J5FU6TC

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SP8J5FU6TB参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C28 毫欧 @ 7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2600pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)