类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：650V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：6A（在TC=25℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.85Ω（在Vgs=10V时）
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等

BM0650HV 具有以下显著特性：
　　1. 高耐压设计：漏源电压额定值为650V，适用于高电压输入环境，如AC/DC转换器和工业电源设备。
　　2. 低导通电阻：在Vgs=10V时，Rds(on) 典型值为0.85Ω，降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　3. 高可靠性：采用高压工艺制造，具有良好的热稳定性和耐久性，适用于严苛工作环境。
　　4. 快速开关特性：具备低输入电容（Ciss）和快速开关响应，适合高频开关应用，如PWM控制器和同步整流器。
　　5. 宽泛的栅极电压范围：允许使用+10V至+20V的栅极驱动电压，兼容多种驱动电路设计。
　　6. 封装多样性：提供TO-220和TO-252等多种封装形式，适应不同的PCB布局和散热需求。
　　7. 过载保护：具备一定的过载承受能力，可在短时高电流条件下稳定工作。

BM0650HV 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：适用于各种AC/DC和DC/DC电源模块，作为主开关或同步整流元件。
　　2. 电机驱动：用于中小型电机控制电路中，提供高效率的开关性能。
　　3. 照明系统：在LED驱动电源中用作功率开关，提高能效和稳定性。
　　4. 工业自动化：适用于工业控制设备中的电源管理和负载开关应用。
　　5. 家用电器：用于变频空调、电磁炉等家电产品中的功率控制电路。
　　6. 新能源系统：如太阳能逆变器、储能系统中的DC-DC转换模块等。

SiHP0650ED、FQP6N65C、STF6NM65N、IRFGB40N65B、IXFN6N65X