类型：NPN型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大功耗（PD）：200 mW
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据档位不同）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

BF820-HAF具有优异的高频性能，适用于100MHz及以下的放大和开关应用。
　　其电流增益（hFE）范围较宽，分为多个档位，便于设计者根据具体需求选择合适的器件，确保电路的稳定性。
　　采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
　　低饱和压降（VCE(sat)）特性使得其在开关应用中效率更高，减少功耗和发热。
　　该晶体管在制造过程中采用了先进的硅外延工艺，提高了器件的稳定性和一致性，适用于要求较高的工业和通信设备。
　　BF820-HAF的封装材料符合RoHS环保标准，无铅且无卤素，符合现代电子产品的环保要求。

BF820-HAF常用于高频放大器电路中，如射频（RF）放大器、音频前置放大器等，能够有效提升信号强度。
　　作为开关晶体管，广泛应用于数字电路中的逻辑开关、继电器驱动、LED驱动等场景。
　　在消费类电子产品中，如电视机、音响设备、无线遥控器等，BF820-HAF用于信号处理和功率控制。
　　由于其高频性能和稳定性，BF820-HAF也常用于通信设备中的信号调制与解调电路。
　　工业自动化系统中，该晶体管可用于传感器信号放大、电机控制以及各种开关控制应用。
　　此外，BF820-HAF还可用于电源管理电路，如DC-DC转换器中的开关元件。

BC847 NPN, 2N3904, BFQ54, MMBF820