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GA0603A1R2CXBAC31G 发布时间 时间:2025/5/30 13:20:48 查看 阅读:9

GA0603A1R2CXBAC31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,适用于高频和高功率应用场景。该器件采用了先进的封装技术和优化的芯片设计,具有低导通电阻、快速开关特性和高电流承载能力等特点。它主要应用于电源管理、无线充电、电机驱动及各类工业电子设备中。

参数

型号:GA0603A1R2CXBAC31G
  类型:增强型场效应晶体管 (eGaN FET)
  额定电压:600V
  额定电流:3.1A
  导通电阻:120mΩ(最大值,典型值为100mΩ)
  栅极电荷:4nC(典型值)
  开关频率:高达5MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:8引脚表面贴装 (SMD)

特性

GA0603A1R2CXBAC31G 的关键特性包括:
  1. 高效率:得益于氮化镓材料的优异性能,该器件能够在高频条件下保持较低的功耗。
  2. 快速开关速度:其低栅极电荷和小寄生电容使得开关时间更短,从而减少开关损耗。
  3. 低热阻封装:优化的封装设计有助于提升散热性能,使器件能够在高温环境下稳定运行。
  4. 高可靠性:通过严格的测试流程,确保在各种复杂工况下的长期稳定性。
  5. 小尺寸设计:紧凑的封装使其非常适合空间受限的应用场景。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
  2. LED 驱动电路
  3. 无线充电发射端
  4. 激光雷达 (LiDAR) 系统
  5. 工业自动化与控制
  6. 电池管理系统 (BMS)
  7. 消费类电子产品中的快充适配器

替代型号

GA0603A1R2CXBAF31G

GA0603A1R2CXBAC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容1.2 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-