3N120 时间：2025/9/3 7:53:32 阅读：16

3N120是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高电压和高电流特性的电子电路中。该器件以其高效能和高可靠性著称，适用于电源管理、马达控制、电池充电器和逆变器等多种应用。3N120的设计能够提供低导通电阻，从而降低导通损耗，并支持较高的开关速度，使其在功率转换系统中表现优异。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1200V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：3A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.5Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220
　　最大功耗：50W

特性

3N120具有多项突出的电气和物理特性，使其在功率电子领域中表现出色。首先，其高漏源电压（1200V）特性使其能够适应高压应用环境，例如工业电源和高压直流变换器。其次，该器件的低导通电阻（RDS(on)）减少了在高电流下的功率损耗，提高了整体系统效率。此外，3N120支持快速开关操作，能够减少开关损耗，提高功率转换器的性能。该器件的热稳定性也非常好，能够在高温环境下长期运行，适合工业和汽车应用中的严苛条件。最后，TO-220封装形式不仅便于安装，还提供了良好的散热性能，确保器件在高负载下依然保持稳定。

应用

3N120的应用范围广泛，主要涵盖需要高电压、中等电流和高效功率管理的电子设备。例如，在电源系统中，3N120可以作为主开关元件用于DC-DC转换器或AC-DC电源适配器；在马达驱动器中，它可用于控制直流马达的运行；在电池充电器中，该器件可以提供高效的充电控制；在太阳能逆变器中，3N120可用于将直流电转换为交流电以供家庭或电网使用。此外，它还适用于工业自动化系统、UPS（不间断电源）以及各种类型的电子负载控制电路。