类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：最大 4A
　　漏极-源极电压（VDS）：最大 30V
　　栅极-源极电压（VGS）：最大 ±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 54mΩ（在 VGS=10V 时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SSOP（5 引脚）

BM05481XRPBF 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其 RDS(on) 最大值为 54mΩ，在 VGS=10V 的条件下，能够在高电流负载下保持较低的温升。
　　此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性和较高的电流承受能力，适用于需要高可靠性的电源系统。器件的栅极驱动电压范围宽，支持 4.5V 至 20V 的驱动电压，兼容多种控制器和驱动电路。
　　BM05481XRPBF 采用 SSOP 封装，具有较小的封装尺寸，适用于空间受限的 PCB 设计。同时，该封装具有良好的散热性能，有助于提升器件在高功率应用中的稳定性。
　　该器件还具备较高的耐压能力和优异的短路耐受能力，能够适应各种恶劣的工作环境。其内部结构优化设计，减少了开关损耗，提高了整体系统效率。
　　BM05481XRPBF 符合 RoHS 标准，无铅环保，适合现代电子产品的环保要求。

BM05481XRPBF 广泛应用于多种电源管理与功率控制电路中。在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可作为主开关元件，用于升压（Boost）或降压（Buck）转换电路，实现高效的电压转换。
　　在负载开关应用中，BM05481XRPBF 可用于控制电源的通断，保护电路免受过载或短路的影响，适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备。
　　此外，该 MOSFET 还可用于电机驱动电路、LED 照明调光系统、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　由于其高效率和小尺寸封装，BM05481XRPBF 也非常适合用于无人机、智能家电和物联网（IoT）设备中的电源管理子系统。

Si2302DS、AO4406、NTMFS4C06N、FDMS86101、FDMS86180