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LBAS16TT1G 发布时间 时间:2025/6/23 23:58:04 查看 阅读:2

LBAS16TT1G 是一款由三星(Samsung)推出的 LPDDR4X 移动 DRAM 存储芯片,专为低功耗和高性能应用场景设计。该型号通常用于智能手机、平板电脑和其他移动设备中,提供高速数据传输能力和出色的能效表现。这款存储芯片基于先进的制程技术制造,能够在减少能耗的同时提升系统性能。

参数

类型:LPDDR4X
  容量:16Gb (2GB)
  封装:TFA (Thin Fine Pitch Ball Grid Array)
  I/O 电压:1.1V
  核心电压:1.8V
  数据速率:4266 Mbps
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  引脚数:96
  封装尺寸:9mm x 13mm x 1mm

特性

LBAS16TT1G 提供卓越的性能和低功耗特点,适用于对速度和电池寿命要求较高的设备。
  1. 高速数据传输:支持高达 4266 Mbps 的数据速率,满足现代移动设备对快速数据处理的需求。
  2. 低功耗设计:采用 LPDDR4X 标准,显著降低运行时的功耗,延长设备电池续航时间。
  3. 小型化封装:TFA 封装使得该芯片体积小巧,适合空间有限的移动设备。
  4. 可靠性高:经过严格的测试和验证,确保在各种环境下稳定运行。
  5. 环保材料:符合 RoHS 标准,使用环保材料制造。

应用

LBAS16TT1G 主要应用于需要高性能和低功耗的场景,如:
  1. 智能手机和平板电脑:
   - 支持多媒体应用和游戏运行。
   - 提供流畅的用户体验。
  2. 可穿戴设备:
   - 如智能手表和健康追踪器。
   - 在小尺寸设备中提供足够的内存支持。
  3. 工业控制设备:
   - 实现高效的数据处理和实时响应。
  4. 物联网(IoT)设备:
   - 提供快速的数据交互能力。

替代型号

K4B4G164QM, MT53E2G128MTR, H9HKNNNCLMMDAR

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