LBAS16TT1G 是一款由三星(Samsung)推出的 LPDDR4X 移动 DRAM 存储芯片,专为低功耗和高性能应用场景设计。该型号通常用于智能手机、平板电脑和其他移动设备中,提供高速数据传输能力和出色的能效表现。这款存储芯片基于先进的制程技术制造,能够在减少能耗的同时提升系统性能。
类型:LPDDR4X
容量:16Gb (2GB)
封装:TFA (Thin Fine Pitch Ball Grid Array)
I/O 电压:1.1V
核心电压:1.8V
数据速率:4266 Mbps
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
引脚数:96
封装尺寸:9mm x 13mm x 1mm
LBAS16TT1G 提供卓越的性能和低功耗特点,适用于对速度和电池寿命要求较高的设备。
1. 高速数据传输:支持高达 4266 Mbps 的数据速率,满足现代移动设备对快速数据处理的需求。
2. 低功耗设计:采用 LPDDR4X 标准,显著降低运行时的功耗,延长设备电池续航时间。
3. 小型化封装:TFA 封装使得该芯片体积小巧,适合空间有限的移动设备。
4. 可靠性高:经过严格的测试和验证,确保在各种环境下稳定运行。
5. 环保材料:符合 RoHS 标准,使用环保材料制造。
LBAS16TT1G 主要应用于需要高性能和低功耗的场景,如:
1. 智能手机和平板电脑:
- 支持多媒体应用和游戏运行。
- 提供流畅的用户体验。
2. 可穿戴设备:
- 如智能手表和健康追踪器。
- 在小尺寸设备中提供足够的内存支持。
3. 工业控制设备:
- 实现高效的数据处理和实时响应。
4. 物联网(IoT)设备:
- 提供快速的数据交互能力。
K4B4G164QM, MT53E2G128MTR, H9HKNNNCLMMDAR