类型：隧道磁阻（TMR）传感器
　　封装形式：SMD，4引脚
　　外形尺寸：1.6mm × 1.6mm × 0.55mm
　　工作电压范围：1.8V 至 5.5V
　　工作电流：典型值为 80μA
　　输出类型：模拟电压输出
　　灵敏度：约 20mV/V/Oe（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　磁滞特性：内置适当磁滞以增强稳定性
　　响应频率：DC 至 1kHz 以上
　　非线性误差：≤ ±1% FS（满量程）
　　偏移电压温漂：低至 ±0.15%/°C
　　电源抑制比（PSRR）：>60dB
　　磁场检测方向：垂直于封装顶面（Z轴方向）

BM04B-ZESS-TBT的核心优势在于其采用的隧道磁阻（TMR）技术，这种技术利用量子隧穿效应，在铁磁材料间的绝缘势垒层中实现极高电阻变化率。相较于传统霍尔元件或各向异性磁阻（AMR）传感器，TMR传感器具有更高的灵敏度、更低的功耗和更宽的动态范围。该器件在微弱磁场环境下仍能保持优异的信噪比，使其适用于高精度角度检测和微位移传感应用。其模拟输出经过内部优化处理，具备良好的线性度和温度稳定性，即使在极端环境温度下也能维持可靠的性能表现。器件内部集成了信号调理电路，无需外接放大器或滤波器即可直接连接ADC进行数据采集，简化了系统设计并减少了外围元件数量。此外，BM04B-ZESS-TBT具备出色的抗机械应力特性，因其结构设计有效降低了封装应力对磁敏感性能的影响，从而提高了长期使用中的测量一致性。该传感器还具有快速响应能力，支持高达1kHz以上的信号变化频率，满足高速运动检测需求。其小尺寸和轻量化设计便于集成到微型电机、编码器模块或可穿戴设备中。由于是非接触式检测原理，避免了机械磨损问题，极大延长了系统的使用寿命。同时，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅回流焊工艺，适应现代绿色制造要求。
　　另一个关键特性是其卓越的温度稳定性。BM04B-ZESS-TBT在-40°C至+125°C的工作温度范围内表现出极低的偏移漂移和增益漂移，确保在高温或低温环境下依然保持测量精度。这对于汽车电子或工业控制等严苛应用场景尤为重要。此外，其宽电压供电能力（1.8V~5.5V）使得它可以灵活适配不同电源系统，无论是3.3V还是5V逻辑系统均可无缝接入。内置的磁滞功能有助于防止因磁场波动引起的输出抖动，提高系统可靠性。整体而言，BM04B-ZESS-TBT凭借其高灵敏度、低功耗、小体积和高可靠性，成为现代精密位置检测系统的理想选择，尤其适用于需要长期稳定运行且空间受限的高端电子产品。

BM04B-ZESS-TBT广泛应用于多个领域，涵盖从消费电子到工业控制再到汽车系统的多种精密检测场景。在消费类电子产品中，它常用于智能手表、TWS耳机、折叠手机等设备中的盖子开合状态检测或旋转部件的角度识别，通过感应永磁体的位置变化实现自动唤醒或界面切换功能。在工业自动化领域，该传感器被集成于小型伺服电机、步进电机或旋转编码器中，用于实时监测转子位置或执行机构的行程，提供高分辨率反馈信号以实现闭环控制。在汽车电子方面，BM04B-ZESS-TBT可用于油门踏板位置检测、座椅滑轨位置感知、方向盘角度监控等非接触式位置传感任务，提升行车安全性和舒适性。此外，在医疗设备如便携式输液泵、内窥镜关节定位系统中，该传感器凭借其高精度和无磨损特性，能够实现对微小运动的可靠追踪。由于其SMT封装形式，易于实现自动化贴片生产，因此也适用于大批量制造的电子产品生产线。在无人机、机器人关节、智能家居开关等需要精确磁位置检测的场合，BM04B-ZESS-TBT同样展现出强大的适用性。其非接触式工作模式不仅提高了系统的耐用性，也降低了维护成本。随着物联网和智能制造的发展，这类高性能磁传感器的需求持续增长，BM04B-ZESS-TBT正逐步成为各类智能设备中不可或缺的关键元器件之一。

BM05B-ZESS-TBT
　　BMA4B-SNS-TBT
　　BME4B-SNS-TBT