时间：2025/12/23 14:26:16
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STW48N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高压功率MOSFET，采用N沟道增强型结构。该器件适用于高电压、高效率的开关应用，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够满足工业和汽车领域对功率转换和电机驱动的需求。
STW48N60M2采用MDmesh M2技术制造，这种技术优化了器件的单位面积性能，在保证低导通损耗的同时降低了开关损耗。其封装形式为TO-247，适合高电流输出场景。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：48A
导通电阻：135mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：90nC（典型值）
输入电容：1720pF（典型值）
总耗散功率：265W（在Tc=25°C时）
工作结温范围：-55°C至+175°C
STW48N60M2具有以下显著特点：
1. 高击穿电压（600V），确保在高电压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻（135mΩ），有效降低导通损耗，提升系统效率。
3. MDmesh M2技术的应用，优化了芯片内部结构，提升了整体性能。
4. 快速开关特性，有助于减少开关损耗，特别适合高频开关应用。
5. 良好的热稳定性，能够在宽温度范围内保持高性能。
6. 符合RoHS标准，环保且适合长期使用。
这些特性使得STW48N60M2成为高效率功率转换电路的理想选择。
STW48N60M2广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 电机驱动和控制电路，用于工业自动化和家用电器。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率管理。
4. 电动车充电设备和车载电子系统中的功率转换模块。
5. 各种需要高效功率切换的工业应用。
由于其高电压和大电流能力，STW48N60M2特别适合要求苛刻的工业和汽车环境。
STW45N60M2
STW48N60DM2
IRFP460
FDP55N60
