型号：BM02B-ACHKS-GAN-TF
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：增强型GaN HEMT
　　材料：GaN-on-Si
　　最大漏源电压（Vds）：650 V
　　连续漏极电流（Id）：2 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：6 A
　　导通电阻（Rds(on)）：180 mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（Vth）：1.5 V ~ 2.3 V
　　最大栅源电压（Vgs）：+6 V / -4 V
　　输入电容（Ciss）：360 pF（典型值）
　　输出电容（Coss）：45 pF（典型值）
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C（无体二极管反向恢复）
　　开关频率支持：高达1 MHz以上
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：SMT，双引脚DFN类封装
　　安装方式：表面贴装
　　符合环保标准：符合RoHS及无卤素要求

BM02B-ACHKS-GAN-TF采用ROHM专有的低噪声栅极结构技术和增强型GaN工艺，确保在高频开关应用中实现稳定可靠的运行。其核心优势之一是显著降低的开关损耗，得益于极快的开关速度和几乎为零的反向恢复电荷（Qrr），这使得它在硬开关拓扑如图腾柱PFC（Totem-Pole PFC）中表现出色。由于GaN材料具有更高的电子迁移率，该器件能够在比传统硅MOSFET更高的频率下工作，从而允许使用更小的磁性元件和电容，大幅缩小电源系统的整体尺寸。此外，其低Rds(on)值在650V等级中处于领先水平，有效减少了导通损耗，提高系统效率，尤其是在满载和轻载条件下均能保持高能效。
　　该器件还具备良好的抗dv/dt能力，并通过优化的封装设计减少了源极寄生电感，增强了开关瞬态稳定性。BM02B-ACHKS-GAN-TF内置的ESD保护结构提高了器件在制造和操作过程中的鲁棒性。其增强型特性意味着在栅极为0V时器件处于关断状态，避免了耗尽型GaN器件所需的复杂负压关断电路，降低了驱动设计门槛。配套的栅极驱动IC建议使用ROHM或其他厂商专为GaN优化的驱动器，以充分发挥其高频性能。器件的工作温度范围宽达-40°C至+150°C，适用于工业级和部分汽车级应用场景。此外，该产品经过严格的可靠性测试，包括高温高压栅极偏置（H3TRB）、高温反偏（HTRB）和温度循环测试，确保长期运行的稳定性。

BM02B-ACHKS-GAN-TF主要用于需要高效率和高功率密度的先进电源转换系统。典型应用包括高效AC-DC电源适配器、数据中心服务器电源单元（PSU）、电信整流器和基站电源系统。在可再生能源领域，该器件可用于光伏（PV）微逆变器和储能系统的DC-DC变换环节，提升能量转换效率并减少散热需求。在电动汽车相关应用中，它可被用于车载充电机（OBC）和DC-DC转换模块，满足对小型化和高效能的严苛要求。此外，在高端工业电源、LED驱动电源以及激光电源等需要高频工作的设备中，BM02B-ACHKS-GAN-TF也能发挥其快速开关和低损耗的优势。由于其表面贴装封装形式，特别适合自动化生产和追求紧凑布局的高密度PCB设计。随着GaN技术的普及，该器件也逐渐进入消费类高端快充市场，支持GaN-based USB-C PD快充方案的设计。

EPC2045
　　Transphorm TPH3205WSBQA
　　GaN Systems GS-065-011-1-L