时间：2025/8/28 16:39:27
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LP62S16128B-T是一款高性能的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，由Leadis Technology（现为Renesas旗下品牌）生产。该芯片具有高速访问时间、低功耗设计和高可靠性等特点，广泛用于需要快速数据存取的嵌入式系统、工业控制设备和通信设备中。
容量：256Kbit
组织结构：16位×16,384字（即16K×16）
电源电压：2.3V至3.6V
访问时间（tRC）：55ns（最大）
读取时间（tAA）：55ns（最大）
工作温度范围：工业级-40°C至+85°C
封装形式：TSSOP（Thin Small Outline Package），54引脚
封装尺寸：14mm×20mm
输入/输出电平：CMOS兼容
封装类型：表面贴装型（SMD）
LP62S16128B-T是一款高速SRAM芯片，其访问时间仅为55ns，适合需要快速数据处理的应用场景。其低功耗设计支持待机模式，有助于延长设备电池寿命。该芯片采用CMOS技术制造，具有较高的抗干扰能力和稳定性。此外，该芯片的工业级温度范围确保其在恶劣环境下仍能稳定运行。TSSOP封装形式不仅节省空间，而且便于自动化生产和表面贴装工艺，提高了制造效率和可靠性。
该芯片广泛应用于工业自动化设备、嵌入式系统、网络设备、测试仪器、通信模块、手持终端设备以及数据采集系统等需要高速存储和可靠性的场合。
IS62WV25616EDALL、CY62148EVLL、IDT71V128SA、M5M52168A、SST39SF040
