制造商：NXP Semiconductors
　　产品类型：RF Power LDMOS Transistor
　　工作频率范围：175 MHz 至 230 MHz
　　输出功率（Pout）：120 W 典型值
　　漏极电压（Vd）：32 V
　　增益：≥22 dB（典型值，在220 MHz）
　　效率：≥65%（典型值）
　　输入驻波比（Input VSWR）：无限大负载驻波比下可承受6:1
　　漏极电流（Id）：最大约28 A（脉冲）
　　静态电流（Iq）：可调，典型用于AB类偏置
　　封装类型：Ceramic Package with Flanged Base
　　引脚数：3（源极、栅极、漏极）
　　安装方式：螺钉固定，底座接地并用于散热
　　热阻（Rth）：约0.25 °C/W（结到外壳）

BLF241的核心优势在于其基于LDMOS技术的高性能射频放大能力。该晶体管采用横向扩散金属氧化物半导体结构，使其在高频段表现出极低的寄生电容和高跨导特性，从而实现高增益和高效率的信号放大。其典型增益在220 MHz时可达22 dB以上，显著降低了前级驱动电路的设计难度，允许使用较小的激励信号即可达到百瓦级输出。此外，BLF241具备出色的热管理能力，其陶瓷封装不仅提供了优异的介电性能，还确保了从芯片结到外壳的高效热传导路径，热阻低至约0.25°C/W，使得器件在持续高功率输出时仍能保持稳定的工作温度。
　　该器件的一个关键特性是其在失配负载条件下的高鲁棒性。BLF241可在输入和输出端承受高达6:1的电压驻波比（VSWR）而不损坏，这在实际发射系统中尤为重要，因为在天线调谐不良或环境变化时可能出现严重的阻抗失配。这种耐用性减少了系统对复杂保护电路的依赖，提高了整体系统的可靠性。此外，BLF241支持AB类和C类偏置配置，使其既可用于线性调制信号的高质量放大（如FM广播），也可用于非线性但高效率的应用（如工业加热）。
　　BLF241的栅极结构经过优化，具有较低的栅极电阻和寄生电感，有助于提高高频响应和稳定性。其源极连接到底座和外壳，实现了低电感接地，这对射频性能至关重要。该器件无需外部负偏压供电，在典型应用中可通过电阻网络实现自偏置，简化了电源设计。同时，BLF241符合RoHS标准，适合现代环保要求。由于其长期供货保障和成熟的技术平台，BLF241成为许多广播设备制造商的首选功率晶体管之一。

BLF241主要应用于需要高功率、高效率射频放大的系统中，尤其是在FM广播发射机领域应用广泛。它常作为末级功率放大器（Final Amplifier Stage）用于50 W至100 W以上的FM发射系统，能够满足城市级广播覆盖的需求。此外，该器件也适用于分布式广播网络中的中继站和补盲站，提供稳定可靠的信号输出。在工业领域，BLF241被用于感应加热、介质加热和等离子体发生器等设备，这些应用通常需要在200 MHz左右的频率下提供连续波（CW）或脉冲射频能量。由于其高耐压和大电流能力，BLF241也能胜任一些雷达系统和专用通信设备中的功率放大任务。
　　在广播发射机设计中，BLF241通常与其他匹配网络元件（如电感、电容和传输线变压器）配合使用，构成高效的推挽或单端放大电路。其高输入阻抗特性使得匹配网络设计相对简单，有助于减少插入损耗并提升整体效率。在多载波或宽带应用中，可通过适当的预失真或反馈技术来改善线性度，以满足严格的频谱掩模要求。此外，BLF241还可用于科研实验中的高频能量源构建，例如物理实验中的气体电离装置或材料处理系统。由于其坚固的陶瓷封装和良好的环境适应性，BLF241也适用于户外或恶劣工业环境下的长期运行。随着数字广播（如DAB+）的发展，虽然部分系统转向固态模块化设计，但BLF241仍在模拟FM广播市场中占据重要地位。

BLF242
　　BLF278
　　BLF279
　　MRF6V1015HS
　　PD55003E