时间：2025/9/5 1:58:31
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BK13C06-10DS/2-0.35V(800) 是一款由半导体厂商生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率、高频率的功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。该型号的封装形式为DFN（Dual Flat No-leads）封装，适用于紧凑型电源设计，例如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：10A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（最大值）
功耗（PD）：800mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：DFN2x2（或类似描述）
BK13C06-10DS/2-0.35V(800) 采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有非常低的导通电阻，能够在高频率下实现高效的功率转换。其DFN封装形式不仅节省空间，还提供了良好的热管理性能，有助于在高负载条件下保持稳定的工作状态。
此外，该器件具有较高的栅极绝缘强度（±20V），能够在较为严苛的环境下稳定运行，适用于各种电源管理系统。其低RDS(on)特性降低了导通损耗，从而提高了整体系统的能效。
由于其封装尺寸小、热阻低，BK13C06-10DS/2-0.35V(800) 也适用于高密度PCB设计，广泛用于便携式设备、服务器电源、通信设备和工业控制系统中。同时，该器件具有良好的抗雪崩能力和较高的可靠性，能够承受瞬时过载和高频开关操作带来的应力。
该MOSFET主要应用于各种高效率、高频率的功率电子系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电源管理系统（尤其是电池供电设备）、服务器和通信设备的电源模块、以及工业控制系统的电源部分。其小型化封装和高性能特性也使其非常适合用于需要高功率密度和高可靠性的嵌入式系统中。
Si2302DS、FDN340P、AO3400、NTMFS4C06NLT1G
