类型：碳化硅MOSFET模块
　　封装形式：双管（Dual）
　　最大漏源电压（VDS）：1200V
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　导通电阻（RDS(on)）：14mΩ（典型值）
　　栅极电压范围：-5V ~ +20V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装尺寸：符合行业标准的14mm封装
　　绝缘等级：增强型绝缘设计
　　短路耐受能力：≥10μs
　　热阻（Rth）：典型值2.5K/W

SIOV-S14K30G5采用了先进的碳化硅功率器件技术，具有优异的电气和热性能。其导通电阻低至14mΩ，能够在高电流下保持较低的导通损耗，从而提升整体系统的效率。此外，该模块的开关损耗显著低于传统的硅基IGBT模块，使其适用于高频开关应用，从而减小磁性元件的体积，提高功率密度。
　　在可靠性方面，SIOV-S14K30G5具备出色的短路耐受能力和高温稳定性，能够在极端工况下保持稳定运行。其封装设计优化了内部互连结构，降低了寄生电感，提升了模块在高频开关状态下的稳定性与安全性。
　　该模块还具有良好的可并联能力，适用于高功率场合下的多模块并联使用，进一步扩展了其应用场景。此外，其栅极驱动兼容性强，可与标准的栅极驱动器配合使用，降低了系统设计的复杂度。

SIOV-S14K30G5广泛应用于需要高效率、高功率密度和高频开关能力的电力电子系统中。主要应用领域包括电动汽车的电机控制器（OBC、DC-DC转换器）、光伏逆变器、储能变流器（PCS）、工业伺服驱动器、不间断电源（UPS）以及高密度电源模块等。
　　在电动汽车领域，该模块可用于车载充电机（OBC）和高压DC-DC转换器，以提升能效和功率密度，满足新能源汽车对轻量化和高效能的严苛要求。在可再生能源领域，SIOV-S14K30G5可应用于高效率的光伏逆变器和储能变流器系统，显著提升系统的整体转换效率和可靠性。
　　此外，该模块也适用于高性能工业电源和数据中心电源系统，支持高频开关设计，有助于减小系统体积和重量，同时提升系统能效。

Cree/Wolfspeed的C3M0016120D、STMicroelectronics的SCT3045KL、Infineon的IMW120R014M1H、ON Semiconductor的NVHL025N120SC1