时间：2025/8/5 20:52:00
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ITXH50N10是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关和电源管理应用中。该器件由Infineon Technologies制造，采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性。ITXH50N10适用于多种高功率密度设计，如DC-DC转换器、电机驱动、电源管理系统以及工业自动化设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：50A（在Tc=25°C）
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：12mΩ（典型值）
阈值电压（VGS(th)）：2.0V至4.0V
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至175°C
ITXH50N10采用了Infineon的沟槽MOSFET技术，使其在高电压和大电流条件下仍能保持较低的导通损耗。该器件的导通电阻仅为12mΩ，显著降低了功率损耗，提高了系统效率。此外，其高电流承载能力（额定漏极电流为50A）使其适用于需要高功率输出的应用。
该MOSFET具有优异的热性能，能够在高温度环境下稳定工作，适用于工业级和汽车级应用。其栅极结构设计优化，提供了良好的开关特性，减少了开关损耗，并提高了系统的响应速度。
ITXH50N10的封装形式为TO-220，便于安装和散热管理，适用于各种功率电子设备。其坚固的结构和高可靠性确保在恶劣环境中也能长时间稳定运行。
ITXH50N10常用于高功率开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备。其高效率和低导通电阻特性使其在电源管理领域具有广泛应用。此外，它也适用于新能源系统，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统，以提高能量转换效率并降低发热。
由于其优异的性能和可靠性，ITXH50N10也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车载DC-DC转换器。
IXTH50N10D, STP50N10FZ, FDP50N10
