时间：2025/9/13 23:57:36
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PESD4USB3U-TBRX是一款由Nexperia（安世半导体）推出的静电放电（ESD）保护二极管阵列，专为高速数据接口设计。该器件主要应用于USB 3.0/3.1接口，为高速数据线提供高效、可靠的ESD保护。该芯片采用小型DFN封装，具有低电容和快速响应时间的特点，能够有效防止静电放电对电子设备造成的损害，同时不影响高速信号的完整性。
工作电压：5.5V
反向关态电压（VRWM）：5V
钳位电压（Vclamp）：最大9.5V（在IEC 61000-4-2等级4条件下）
峰值脉冲电流（IPP）：3A（8/20μs波形）
电容（C）：典型值0.35pF（在1MHz频率下）
响应时间：小于1ns
封装类型：DFN1006-6（1.0mm x 0.6mm）
温度范围：-55°C至+150°C
符合标准：IEC 61000-4-2 Level 4（±8kV接触放电）
PESD4USB3U-TBRX具备出色的ESD保护性能，其响应时间小于1纳秒，可在静电放电事件发生时迅速将高压脉冲导通至地，保护后端电路不受损害。该器件的钳位电压较低，在ESD冲击下能够将电压限制在安全范围内，从而避免损坏敏感的集成电路。其最大钳位电压为9.5V，远低于许多高速接口IC所能承受的极限。此外，该芯片的反向关态电压为5V，适用于5V电源域的保护。
该器件的电容特性非常出色，典型值仅为0.35pF，适用于高速数据传输接口，如USB 3.0和USB 3.1。低电容有助于减少信号失真和插入损耗，确保数据传输速率高达5Gbps甚至更高时仍能保持信号完整性。此外，PESD4USB3U-TBRX采用DFN1006-6超小型封装，尺寸仅为1.0mm x 0.6mm，非常适合空间受限的便携式电子产品设计，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。
该器件符合IEC 61000-4-2 Level 4标准，可承受±8kV接触放电和±15kV空气放电，提供最高级别的ESD防护。其峰值脉冲电流能力为3A（8/20μs波形），在高能量冲击下仍能保持稳定性能。此外，该芯片的工作温度范围广泛，从-55°C至+150°C，适用于各种严苛环境下的应用。
PESD4USB3U-TBRX广泛应用于需要高速数据接口ESD保护的电子设备中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、USB集线器、外部硬盘驱动器（HDD/SSD）以及各种外设接口。其低电容特性使其特别适用于USB 3.0、USB 3.1和Thunderbolt等高速数据传输接口，确保信号完整性不受影响。此外，该器件也可用于HDMI、DisplayPort、SATA、PCIe等高速接口的ESD保护。在工业控制、消费电子、汽车电子等领域，PESD4USB3U-TBRX均可提供可靠的静电放电保护，提升系统的稳定性和可靠性。
PESD4USB3UW, PESD4USB3UX, PESD4USB3U-04SO
